These lead to a greatly enhanced di

These lead to a greatly enhanced dielectric constant in 3 mol% Al-doped ZnO ceramics, e.g. ε′∼1.39 × 104 at 1 kHz, which is ∼225% higher than that of pure ZnO ceramics. This work may provide a new pathway for the dielectric enhancement in ZnO ceramics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เหล่านี้นำไปสู่การเพิ่มขึ้นอย่างมากคงเป็นฉนวนใน 3 mol %เซรามิกส์ ZnO เจืออัล เช่น ε′∼1.39 × 104 ที่ 1 kHz ซึ่งเป็น ∼225% สูงกว่าของเซรามิกส์ ZnO บริสุทธิ์ งานนี้อาจมีทางเดินใหม่เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของฉนวนในเซรามิกส์ ZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นำเหล่านี้ไปยังฉนวนคงเพิ่มขึ้นอย่างมากใน 3 mol% Al-เจือเซรามิกส์ ZnO เช่นε'~1.39× 104 วันที่ 1 เฮิร์ทซ์ซึ่งเป็น ~225% สูงกว่าที่ของเซรามิกส์ ZnO บริสุทธิ์ งานนี้อาจจัดให้มีทางเดินใหม่สำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพของอิเล็กทริกในเซรามิกซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้นำไปสู่การเพิ่มมากอย่างต่อเนื่องใน 3 โมล % ล ด้วยเช่นกัน เซรามิค เช่น ε′∼ 1.39 × 104 1 เฮิร์ทซ์ ซึ่งเป็น∼ 225 % สูงกว่าเซรามิกสังกะสีบริสุทธิ์ งานนี้อาจมีเส้นทางใหม่สำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพในซิงค์ออกไซด์ฉนวนเซรามิค