Given that the density of statesrel

Given that the density of states
related effective masses of electrons and holes in Si are approximately 1 .08me and 0.60me)
respectively, and the electron and hole di ft mobilities at room temperature are 1 350 and
450 cm2 V~1 s~1 , respectively, calculate the intrinsic concentration and intrinsic resistivity ofSi .

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระบุว่าความหนาแน่นของอเมริกาที่เกี่ยวข้องกับมวลชนที่มีประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนและหลุมในซีมีประมาณ 1 .08me และ 0.60me)ตามลำดับ และอิเล็กตรอนและหลุมฟุต di mobilities ที่อุณหภูมิห้องมี 1 350 และ450 cm2 V ~ 1 s ~ 1 ตามลำดับ คำนวณความเข้มข้น intrinsic และความต้านทาน intrinsic ofSi

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระบุว่ามีความหนาแน่นของรัฐ
ที่เกี่ยวข้องกับมวลชนที่มีประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนและหลุมในศรีประมาณ 1 .08me และ 0.60me)
ตามลำดับและอิเล็กตรอนและหลุมเคลื่อนที่ดิฟุตที่อุณหภูมิห้องเป็น 1 350 และ
450 cm2 V ~ 1 วินาที ~ 1 ตามลำดับการคำนวณความเข้มข้นที่แท้จริงและความต้านทานที่แท้จริง OFSI

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ให้ความหนาแน่นของสหรัฐอเมริกา
ที่เกี่ยวข้องที่มีมวลของอิเล็กตรอนและหลุมในจังหวัดประมาณ 1 08me และ 0.60me )
) และอิเล็กตรอนและหลุมในฟุต mobilities อุณหภูมิห้อง 1 350 และ 450 cm2
V ~ 1 ~ 1 ตามลำดับ คำนวณความเข้มข้นภายใน และความต้านทานภายใน ofsi .