The minimum ON-state gate voltage r

The minimum ON-state gate voltage required to ensure that the MOSFET remains “ON” when carrying the selected drain current can be determined from the v-i transfer curves above. When VIN is HIGH or equal to VDD, the MOSFET Q-point moves to point A along the load line. The drain current ID increases to its maximum value due to a reduction in the channel resistance. ID becomes a constant value independent of VDD, and is dependent only on VGS. Therefore, the transistor behaves like a closed switch but the channel ON-resistance does not reduce fully to zero due to its RDS(on) value, but gets very small.

Likewise, when VIN is LOW or reduced to zero, the MOSFET Q-point moves from point A to point B along the load line. The channel resistance is very high so the transistor acts like an open circuit and no current flows through the channel. So if the gate voltage of the MOSFET toggles between two values, HIGH and LOW the MOSFET will behave as a “single-pole single-throw” (SPST) solid state switch and this action is defined as:

1. Cut-off Region

Here the operating conditions of the transistor are zero input gate voltage ( VIN ), zero drain current ID and output voltage VDS = VDD. Therefore for an enhancement type MOSFET the conductive channel is closed and the device is switched “OFF”.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ต่ำสุดในสถานะประตูแรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นเพื่อให้แน่ใจว่า MOSFET ที่ยังคงอยู่ "บน" เมื่อแบกท่อระบายน้ำเลือกปัจจุบันสามารถกำหนดได้จากเส้นโค้งโอน v-i ข้างต้น เมื่อ VIN มีสูง หรือเท่ากับ VDD จุด MOSFET Q ย้ายไปจุด A เส้นโหลด รหัสปัจจุบันระบายน้ำเพิ่มไปเป็นค่าสูงสุดเนื่องจากการลดความต้านทานของช่องสัญญาณ ID จะ เป็นค่าคงเป็นอิสระจาก VDD และพึ่งพาเท่า VGS ดังนั้น ทรานซิสเตอร์ทำหน้าที่เหมือนสวิตช์ปิดแต่ช่องบนความต้านทานไม่ลดเต็มเป็นศูนย์เนื่องจากค่า rds (on) แต่จะเล็กมากทำนองเดียวกัน เมื่อ VIN เป็นต่ำ หรือลดลงเป็นศูนย์ จุด MOSFET Q ย้ายจากจุด A ไปจุด B ตามแนวโหลด ความต้านทานของช่องสัญญาณจะสูงมากเพื่อให้ทรานซิสเตอร์ทำหน้าที่เหมือนเป็นวงจรเปิดและกระแสไม่ไหลผ่านช่องทาง ดังนั้นถ้าแรงดันประตู MOSFET สลับระหว่างค่าสองค่า สูงและต่ำ MOSFET จะทำงานเป็นแบบ "เสาเดี่ยวเดี่ยวฉาย" สลับสถานะของแข็ง (SPST) และการดำเนินการนี้ถูกกำหนดเป็น:1. ตัดภูมิภาคเงื่อนไขการทำงานของทรานซิสเตอร์มีศูนย์ประตูสัญญาณแรงดัน (VIN), ศูนย์ ID ปัจจุบันท่อระบายน้ำและออกแรงดัน VDS = VDD ดังนั้นสำหรับชนิดเพิ่ม MOSFET ปิดช่องทางการนำไฟฟ้า และอุปกรณ์นั้นได "ปิด"

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้นต่ำในรัฐแรงดันเกตที่จำเป็นเพื่อให้มั่นใจว่า MOSFET ยังคง "ON" เมื่อดำเนินการระบายน้ำในปัจจุบันที่เลือกจะถูกกำหนดจากเส้นโค้งการโอน vi ดังกล่าวข้างต้น เมื่อ VIN สูงหรือเท่ากับ VDD, MOSFET Q-จุดย้ายไปยังจุดตามเส้นโหลด ท่อระบายน้ำเพิ่มขึ้น ID ปัจจุบันค่าสูงสุดเนื่องจากการลดลงในการต่อต้านช่องทางที่ ID กลายเป็นอิสระค่าคงที่ของ VDD และขึ้นอยู่เฉพาะใน VGS ดังนั้นทรานซิสเตอร์พฤติกรรมเช่นสวิทช์ปิด แต่ช่องบนต้านทานไม่ได้ลดอย่างเต็มที่ที่จะเป็นศูนย์เนื่องจาก RDS มัน (บน) มูลค่า แต่ได้รับมีขนาดเล็กมาก. เช่นเดียวกันเมื่อ VIN อยู่ในระดับต่ำหรือลดลงไปอยู่ที่ศูนย์มอสเฟต Q- จุดย้ายจากจุด A ไปยังจุด B ตามแนวโหลด ความต้านทานช่องสูงมากดังนั้นทรานซิสเตอร์ทำหน้าที่เหมือนวงจรเปิดและไม่มีกระแสไหลผ่านช่องทาง ดังนั้นถ้าแรงดันประตู MOSFET สลับระหว่างสองค่าสูงและต่ำ MOSFET จะทำตัวเป็น "ขั้วเดียวเดียวโยน" (SPST) สวิทช์ของรัฐที่มั่นคงและการกระทำนี้ถูกกำหนดให้เป็น: 1 ตัดภาคที่นี่สภาพการทำงานของทรานซิสเตอร์เป็นศูนย์ประตูแรงดันไฟฟ้าอินพุต (VIN) ศูนย์ท่อระบายน้ำในปัจจุบัน ID และเอาท์พุทแรงดันไฟฟ้า VDS = VDD ดังนั้นสำหรับประเภทการเพิ่มประสิทธิภาพของ MOSFET ช่องทางสื่อกระแสไฟฟ้าจะถูกปิดและอุปกรณ์ที่จะเปลี่ยน "ปิด"

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อย่างน้อยในสถานะแรงดันหลักต้องตรวจสอบให้แน่ใจว่ามอสเฟตยังคง " ใน " เมื่อแบกเลือกระบายปัจจุบันสามารถหาได้จากการโอน v-i โค้งด้านบน เมื่อวินสูงหรือเท่ากับ VDD , MOSFET q-point ย้ายจุดไปโหลด Line ท่อระบายน้ำปัจจุบัน ID เพิ่มมูลค่าสูงสุดเนื่องจากการลดลงของความต้านทานในช่อง id กลายเป็นค่าคงที่ค่าอิสระของ VDD และขึ้นอยู่เฉพาะในวีจีเ . ดังนั้น ทรานซิสเตอร์ที่ทำตัวเหมือนสลับปิด แต่ช่องทางในการต้านทานไม่ได้ลดทั้งศูนย์ เนื่องจากมี RDS ( on ) ค่า แต่ได้น้อยมากอนึ่ง เมื่อวินจะต่ำหรือลดลงเหลือศูนย์ มอสเฟต q-point ย้ายจากจุด A ไปยังจุด B ไปโหลด Line สถานีต้านทานสูงมากดังนั้นทรานซิสเตอร์ทําหน้าที่เหมือนกับวงจรเปิด และไม่มีกระแสไหลผ่านช่อง ดังนั้น ถ้าแรงดันหลักของมอสเฟตสลับระหว่างสองค่าสูงและต่ำ MOSFET จะทำตัวเป็น " โยนเดียวเสาเดียว " ( spst ) ของแข็งสลับและการกระทำนี้หมายถึง :1 . ตัดเขตที่นี่สภาวะการทำงานของทรานซิสเตอร์จะเป็นศูนย์ข้อมูลแรงดันหลัก ( VIN ) , ศูนย์ระบายกระแส ID และแรงดัน VDD VDS = . ดังนั้น เพื่อเพิ่มช่องทางสื่อชนิด MOSFET จะปิดและอุปกรณ์จะเปลี่ยนที่ " ปิด "