Due to its interesting optical prop

Due to its interesting optical properties including wide direct band gap semiconductor of about 3.3 eV and large exciton binding energy of 60 mev at room temperature, it is a good candidate for optical devices such as ultraviolet (UV) lasers and light emitting diode

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากสนใจแสงคุณสมบัติสารกึ่งตัวนำช่องว่างวงกว้างตรงของประมาณ 3.3 eV และพลังงานยึดเหนี่ยว exciton ใหญ่ของ 60 mev ที่อุณหภูมิห้อง เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับอุปกรณ์แสงอัลตราไวโอเลต (UV) แสงเลเซอร์และไดโอดเปล่งแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนื่องจากคุณสมบัติของแสงที่น่าสนใจรวมทั้งกว้างเซมิคอนดักเตอร์วงช่องว่างตรงประมาณ 3.3 EV และ exciton พลังงานขนาดใหญ่ที่มีผลผูกพัน 60 MeV ที่อุณหภูมิห้องจะเป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับอุปกรณ์แสงเช่นรังสีอัลตราไวโอเลต (UV) และเลเซอร์ไดโอดเปล่งแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เนื่องจากน่าสนใจของสมบัติทางแสงรวมถึงคลื่นความถี่กว้างตรงช่องว่าง ( ประมาณ 3.3 EV และขนาดใหญ่ exciton พลังงานยึดเหนี่ยวของ 60 ของอุณหภูมิห้อง เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับอุปกรณ์แสงเช่นรังสีอัลตราไวโอเลต ( UV ) และเลเซอร์ไดโอดเปล่งแสง