Reverse Biased P-N JunctionWhen pos

Reverse Biased P-N Junction

When positive terminal of a voltage source is connected to the n-type region and the negative terminal of the source is connected to the p-type region then the p n junction is said to be in reverse biased condition. When there is no voltage applied across the p n junction, the potential developed across the junction is 0.3 volts at 25°C for germanium p n junction and 0.7 volts at 25°C for silicon p n junction. The polarity of this potential barrier is same as the polarity of voltage source applied during reverse biased condition. Now if reverse biased voltage across the p n junction is increased the barrier potential developed across the p n junction is also increased. Hence, the p n junction is widened. When positive terminal of the source is connected to the n-type region, the free electrons of that region are attracted towards positive terminal of the source because of that more positive impurity ions are created in the depletion layer which makes the layer of positive impurity ions thicker.

At the same time since negative terminal of the source is connected to the p-type region of the junction, electrons are injected in this region. Due to the positive potential of the n-type region the electrons are drifted towards the junction and combine with holes adjacent to the layer of positive impurity ions and create more positive impurity ions in the layer. Hence, the thickness of the layer increases.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กลับลำเอียง P-N Junctionเมื่อขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟเชื่อมต่อกับภูมิภาคประเภท n และขั้วลบของแหล่งที่มาเชื่อมต่อกับภูมิภาคชนิด p แล้วแยก n p กล่าวได้ว่า ในสภาพย้อนกลับลำเอียง เมื่อมี แรงดันไม่ใช้สำหรับต่อสายไฟ n p ศักยภาพพัฒนาข้ามแยกเป็น 0.3 โวลต์ที่ 25° C สำหรับเจอร์เมเนียม p n junction และ 0.7 โวลต์ที่ 25° C สำหรับซิลิคอน p n junction ขั้วของศักย์นี้จะเหมือนกับขั้วของแหล่งจ่ายไฟระหว่างเงื่อนไขลำเอียงย้อนกลับ ตอนนี้ถ้าแรงดันย้อนกลับที่ลำเอียงข้ามแยก n p เพิ่มขึ้น อุปสรรคที่มีศักยภาพพัฒนาข้าม แยก n p จะยังเพิ่มขึ้น ดังนั้น คือ widened แยก n p เมื่อขั้วบวกของแหล่งเชื่อมต่อภูมิภาคประเภท n อิเล็กตรอนฟรีของภูมิภาคที่จะดึงดูดต่อขั้วบวกของแหล่งเนื่องจากการที่ ไอออนบริสุทธิ์บวกเพิ่มเติมถูกสร้างในชั้นสูญเสียซึ่งทำให้ชั้นของไอออนบวกบริสุทธิ์หนา ในเวลาเดียวกัน เนื่องจากขั้วลบของแหล่งที่มาเชื่อมต่อกับภูมิภาค p-ประเภทของการเชื่อมต่อ อิเล็กตรอนถูกฉีดในภูมิภาคนี้ เนื่องจากศักยภาพของภูมิภาคประเภท n บวก อิเล็กตรอนลอยไปทางแยกรวมกับหลุมที่ติดกับชั้นของไอออนบวกบริสุทธิ์ และสร้างเพิ่มเติมมลทินประจุบวกในชั้น ดังนั้น ความหนาของชั้นเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ย้อนกลับลำเอียง PN Junction

เมื่อขั้วบวกของแหล่งที่มาของแรงดันไฟฟ้ามีการเชื่อมต่อไปยังภูมิภาคชนิดเอ็นและขั้วลบของแหล่งที่มีการเชื่อมต่อไปยังภูมิภาค P-type แล้วแยก PN มีการกล่าวถึงอยู่ในสภาพที่ลำเอียงย้อนกลับ เมื่อมีแรงดันไฟฟ้าไม่ใช้ข้ามทางแยก PN ที่มีศักยภาพในการพัฒนาข้ามทางแยกเป็น 0.3 โวลต์ที่ 25 ° C สำหรับแยกเจอร์เมเนียม PN 0.7 โวลต์ที่ 25 ° C สำหรับซิลิคอน PN ขั้วของอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นนี้เป็นเช่นเดียวกับขั้วของแหล่งที่มาของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ในช่วงสภาพลำเอียงย้อนกลับ ตอนนี้ถ้าแรงดันย้อนกลับลำเอียงข้ามทางแยก PN จะเพิ่มศักยภาพอุปสรรคการพัฒนาข้ามทางแยก PN จะเพิ่มขึ้นด้วย ดังนั้นทางแยก PN จะกว้างขึ้น เมื่อขั้วบวกของแหล่งที่มีการเชื่อมต่อไปยังภูมิภาค N-ประเภทที่อิเล็กตรอนอิสระในภูมิภาคที่มีความสนใจต่อขั้วบวกของแหล่งที่มาเพราะการที่ไอออนสิ่งเจือปนในเชิงบวกมากขึ้นจะถูกสร้างขึ้นในชั้นการสูญเสียที่ทำให้ชั้นของไอออนสิ่งเจือปนในเชิงบวก หนา.

ในเวลาเดียวกันตั้งแต่ขั้วลบของแหล่งที่มีการเชื่อมต่อไปยังภูมิภาค P-ประเภทของการแยกอิเล็กตรอนจะฉีดในภูมิภาคนี้ เนื่องจากการที่มีศักยภาพในเชิงบวกของภูมิภาค N-ชนิดอิเล็กตรอนจะลอยไปทางแยกและรวมที่มีรูอยู่ติดกับชั้นของไอออนสิ่งเจือปนในเชิงบวกและสร้างไอออนบวกมากขึ้นปนเปื้อนในชั้น ดังนั้นความหนาของชั้นที่เพิ่มขึ้น