For the samples sintered at 1400
C

For the samples sintered at 1400
C, polished surface was
observed by BSE, as shown in Fig. 2(a). The coarse silicon carbide
particles were surrounded by the melted bentonite, and the coating
layer was about 10 mm thick. The neighbored two particles were
joined together by the melted bentonite. The pores formed in the
places where the gap between the two particles was large. The
composition of the melted phase was detected by EDS, as shown
in Fig. 2(b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างที่เผาที่ 1400 C ขัดผิวได้สังเกต โดย BSE ดังที่แสดงในรูป 2(a) ซิลิคอนไฮไดรด์หยาบล้อมรอบ ด้วย bentonite ละลาย การเคลือบอนุภาคชั้นหนาประมาณ 10 มม.ได้ มีอนุภาคสอง neighboredร่วมกัน โดยเบนโทไนต์ละลาย รูขุมขนที่เกิดขึ้นในการสถานที่ช่องว่างระหว่างอนุภาคทั้งสองมีขนาดใหญ่ การองค์ประกอบของขั้นตอนการเตรียมการตรวจพบ โดย EDS ดังที่แสดงในรูป 2(b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับตัวอย่างเผาที่ 1400? C, ขัดผิวได้รับการ
ตรวจสอบโดย BSE ดังแสดงในรูปที่ 2 (ก) หยาบซิลิกอนคาร์ไบด์
อนุภาคถูกล้อมรอบด้วยเบนโทไนท์ละลายและสารเคลือบผิว
ชั้นเป็นประมาณ 10 มมหนา neighbored สองอนุภาคถูก
รวมเข้าด้วยกันโดยเบนโทไนท์ละลาย รูขุมขนที่เกิดขึ้นใน
สถานที่ที่ช่องว่างระหว่างสองอนุภาคมีขนาดใหญ่
องค์ประกอบของขั้นตอนการละลายถูกตรวจพบโดย EDS ดังแสดง
ในรูปที่ 2 (ข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับตัวอย่างการเผาอบผนึกที่อุณหภูมิ 1 , 400 องศาเซลเซียส ขัดผิว คือสังเกตด้วยตนเอง ดังแสดงในรูปที่ 2 ( ก ) ซิลิคอนคาร์ไบด์หยาบอนุภาคที่ถูกล้อมรอบด้วยสารละลายและเคลือบชั้นประมาณ 10 มม. หนา การพบอนุภาค neighbored สองร่วมกันโดยละลายสาร . รูที่เกิดขึ้นในสถานที่ที่ช่องว่างระหว่างสองอนุภาคมีขนาดใหญ่ ที่องค์ประกอบของละลายระยะที่ตรวจพบโดยการศึกษา ตามที่แสดงในรูปที่ 2 ( ข )