A device with this property can be

A device with this property can be fabricated by placing a strong
forward bias on a heavily doped p-n junction

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์ที่มีให้บริการนี​​้สามารถประดิษฐ์โดยการวางอคติที่แข็งแกร่ง
ไปข้างหน้า pn สนธิเจือหนัก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุปกรณ์ที่ มีคุณสมบัตินี้สามารถหลังสร้างด้วยแรง
ส่งต่อความโน้มเอียงในการเชื่อมต่อ p-n หนัก doped

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์ที่มีที่พักแห่งนี้สามารถสร้างขึ้นมาโดยการวางอคติ
ซึ่งจะช่วยส่งต่อที่หนัก doped P - N ทางแยก