At the same time, neither ATR nor X

At the same time, neither ATR nor XRD studies can reveal
unambiguously where the SiO2 phase is located, i.e. at film/substrate
interface or embedded in the film volume. However, based on these
results and on the estimate of the film density, we can admit the
presence of SiO2 phase inside the volume of HfSiO layer. The latter will
be confirmed by TEM observations of as-deposited and annealed films

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเวลาเดียวกัน ไม่เครื่องบิน ATR และ XRD ศึกษาสามารถเปิดเผยไม่กำกวมที่เฟส SiO2 อยู่ เช่นที่ฟิล์ม/พื้นผิวอินเตอร์เฟซ หรือฝังอยู่ในฟิล์มเสียง อย่างไรก็ตาม อิงเหล่านี้ผล และในการประเมินความหนาแน่นของฟิล์ม เราสามารถยอมรับการสถานะการออนไลน์ของ SiO2 ระยะภายในระดับชั้น HfSiO จะหลังยืนยัน โดย TEM สังเกตของภาพยนตร์เป็นการนำฝาก และอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในเวลาเดียวกันไม่ ATR มิได้ XRD ศึกษาสามารถที่จะเปิดเผย
อย่างไม่น่าสงสัยที่เฟส SiO2 ตั้งอยู่เช่นหนัง / สารตั้งต้น
อินเตอร์เฟซหรือฝังตัวอยู่ในปริมาณที่ภาพยนตร์เรื่องนี้ แต่ขึ้นอยู่กับเหล่านี้
และผลการประมาณการของความหนาแน่นของภาพยนตร์เรื่องนี้ที่เราสามารถยอมรับ
การปรากฏตัวของเฟส SiO2 ภายในปริมาณของชั้น HfSiO หลังจะ
ได้รับการยืนยันโดยการสังเกต TEM ของภาพยนตร์เป็นฝากและอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในเวลาเดียวกัน หรือ ATR หรือ XRD การศึกษาสามารถเปิดเผยอย่างไม่น่าสงสัยที่ SiO2 เฟสอยู่ เช่นที่ภาพยนตร์ / พื้นผิวอินเตอร์เฟซหรือฝังอยู่ใน ภาพยนตร์เสียง อย่างไรก็ตาม ตามนี้และผลลัพธ์ในการประเมินความหนาแน่นของฟิล์ม เราก็ยอมรับว่าการแสดงตนของ SiO2 ที่ระยะข้างในปริมาณของชั้น hfsio . หลังจะได้รับการยืนยันโดยแบบสังเกตของที่ฝากและอบฟิล์ม