Besides, the junction temperature w

Besides, the junction temperature will increase when the solar
cell is irradiated at high intensities. Ju et al. analyzed the InGaP/
GaAs/Ge triple-junction solar cell operating at the concentration
ratios in the range of 1–1000 suns [11], the same approach was
used to calculate the Cu-based solar cell in this work, the junction
temperatures were estimated to be around 25
C at 1 sun and 72
C
at 120 suns. However, his study also indicated that the junction
temperature will increase to 120
C with 1000 suns irradiation.
This temperature is only half of the tested temperature (250
C)
of our study, which means the Cu contacts will remain quite stable
at high concentration operation. Accordingly, the performance of
Cu contacts should remain stable at high irradiation intensity
and would not be the primary factor for the cell degradation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจาก แยกอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นเมื่อการพลังงานแสงอาทิตย์เซลล์เป็น irradiated ที่ปลดปล่อยก๊าซสูง จู al. et InGaP วิเคราะห์ /เซลล์แสงอาทิตย์เชื่อมต่อทริ GaAs/Ge ทำงานที่ความเข้มข้นมีวิธีการเดียวกันของอัตราส่วนในช่วง 1 – 1000 ดวง [11],ใช้ในการคำนวณใช้ Cu เซลล์แสงอาทิตย์ในงานนี้ แยกอุณหภูมิอยู่ประมาณ ประมาณ 25 C ที่ 1 ซันและ 72 Cที่ดวง 120 อย่างไรก็ตาม ศึกษายังระบุที่แยกอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นถึง 120 C กับ 1000 ดวงวิธีการฉายรังสีอุณหภูมินี้เป็นอุณหภูมิทดสอบ (250 C) เพียงครึ่งหนึ่งการศึกษาของเรา ซึ่งหมายความว่า ผู้ติดต่อ Cu จะยังคงมีเสถียรภาพมากในการดำเนินการความเข้มข้นสูง ตาม ประสิทธิภาพของติดต่อ cu จะยังคงมีเสถียรภาพที่ความเข้มสูงวิธีการฉายรังสีและจะเป็นปัจจัยหลักในการลดประสิทธิภาพของเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้อุณหภูมิทางแยกจะเพิ่มขึ้นเมื่อแสงอาทิตย์เซลล์ฉายรังสีที่ความเข้มสูง จู et al, วิเคราะห์ InGaP /
GaAs /
จีอีสามแยกเซลล์แสงอาทิตย์การดำเนินงานที่มีความเข้มข้นอัตราส่วนในช่วง1-1000 ดวงอาทิตย์ [11], วิธีการเดียวกันถูกใช้ในการคำนวณเซลล์แสงอาทิตย์ทองแดงที่ใช้ในงานนี้ทางแยกอุณหภูมิคาดว่าจะมีประมาณ 25? C ที่ 1 อาทิตย์และ 72 องศาเซลเซียสที่120 ดวงอาทิตย์ แต่การศึกษาของเขายังชี้ให้เห็นว่าทางแยกอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นถึง 120 องศาเซลเซียส 1000 ดวงอาทิตย์ฉายรังสี. อุณหภูมินี้เป็นเพียงครึ่งหนึ่งของอุณหภูมิทดสอบ (250 องศาเซลเซียส) จากการศึกษาของเราซึ่งหมายถึงรายชื่อลูกบาศ์กจะยังคงค่อนข้างคงที่สูงการดำเนินงานที่มีความเข้มข้น ดังนั้นการปฏิบัติงานของผู้ติดต่อของ Cu ควรจะยังคงมีเสถียรภาพที่ระดับความเข้มการฉายรังสีสูงและจะไม่เป็นปัจจัยหลักในการย่อยสลายเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ ชุมทางอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นเมื่อ เซลล์แสงอาทิตย์ คือ การฉายรังสีที่ความเข้มสูง
. จู et al . วิเคราะห์ ingap /
6 / GE สามแพร่งโซลาร์เซลล์ปฏิบัติการที่ความเข้มข้น
อัตราส่วนในช่วง 1 – 1000 ตะวัน [ 11 ] วิธีการเดียวกันคือ
ใช้ในการคำนวณ Cu จากเซลล์แสงอาทิตย์ ในงานนี้ แยก
อุณหภูมิที่คาดว่าจะอยู่ที่ประมาณ 25
C ที่ 1 อาทิตย์และ 72
C
ที่ 120 ซัน อย่างไรก็ตาม การศึกษาพบว่าอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นเป็น 120 ต่อ

C 1000 ดวงอาทิตย์รังสี .
อุณหภูมินี้เป็นเพียงครึ่งหนึ่งของการทดสอบอุณหภูมิ ( 250
C )
การศึกษาของเรา ซึ่งหมายความว่า จุฬาฯ ที่ติดต่อจะยังคงมีเสถียรภาพค่อนข้าง
ที่ปฏิบัติการความเข้มข้นสูง ดังนั้นประสิทธิภาพของ
ติดต่อ CU น่าจะยังคงมีเสถียรภาพที่
ความเข้มรังสีสูงและจะไม่ใช่ปัจจัยหลักสำหรับเซลล์ลดลง