TheDirac point of the GFETs shifts

The
Dirac point of the GFETs shifts slightly to a positive gate a VG¼8 V, demonstrating light p-type hole doping performance

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดแรคของ GFETs กะเล็กน้อยประตูบวกVG¼ 8 V แสดงให้เห็นถึงชนิดพีประสิทธิภาพยาสลบหลุมไฟ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดิแรกจุดของ gfets กะเล็กน้อยบวกประตูเป็น VG ¼  8 V , แสดงให้เห็นถึงแสงพีรูเติมประสิทธิภาพ