3.2 Frequency characteristics of an

3.2 Frequency characteristics of an SMR device
Figure 7 shows the frequency response of an SMR device, in which, a large returning loss of 30 dB at 1.09 GHz can be observed. The discrepancy between designed and practical resonance frequencies can be attributed to the inaccuracy in the thickness of piezoelectric layer. The transistor of PHILIPs BFR 505 is adopted to construct the high frequency amplifier.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2 ความถี่ลักษณะของอุปกรณ์ SMR รูปที่ 7 แสดงการตอบสนองความถี่ของอุปกรณ์ SMR ที่ สูญเสียขนาดใหญ่กลับมา 30 dB ที่ 1.09 GHz สามารถถูกดำเนินการ ความขัดแย้งระหว่างความถี่เรโซแนนซ์ออกแบบ และการปฏิบัติสามารถนำมาประกอบกับการไม่ถูกต้องในความหนาของชั้นชั่น ทรานซิสเตอร์ของ PHILIPs BFR 505 ถูกนำมาใช้ในการสร้างเครื่องขยายเสียงความถี่สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 ลักษณะความถี่ของอุปกรณ์ SMR
รูปที่ 7 แสดงให้เห็นถึงการตอบสนองความถี่ของอุปกรณ์ SMR ที่ซึ่งการสูญเสียขนาดใหญ่กลับมาวันที่ 30 เดซิเบลที่ 1.09 GHz สามารถสังเกตได้ ความแตกต่างระหว่างการออกแบบและการปฏิบัติความถี่เรโซแนนสามารถนำมาประกอบกับความไม่ถูกต้องในความหนาของชั้น piezoelectric ทรานซิสเตอร์ของ Philips BFR 505 ถูกนำมาใช้ในการสร้างเครื่องขยายเสียงความถี่สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 ความถี่ SMR อุปกรณ์ลักษณะรูปที่ 7 แสดงการตอบสนองความถี่ของ SMR อุปกรณ์ ซึ่ง ใหญ่กลับสูญเสีย 30 dB ที่ 1.09 GHz สามารถสังเกตได้ ความแตกต่างระหว่างการออกแบบและความถี่เรโซแนนซ์ในทางปฏิบัติสามารถประกอบกับความไม่ถูกต้องในความหนาของเพียโซอิเล็กทริกของเลเยอร์ ทรานซิสเตอร์ของ Philips bfr 505 ไปสร้างเครื่องขยายเสียงความถี่สูง