An Si–O2 bonding structure was obse

An Si–O2 bonding structure was observed in all of the filter samples.However,the peak intensity became stronger with
increasing sintering temperature ranging from 1500 C to 1550 C. The oxidation of SiC to SiO2 leads to decrease of
mechanical strength. In particular,the peak intensity of the Si–O2 bond was extremely high in the filter sintered at
1550 C, and this oxidation led to a drastic decrease in mechanical strength.This tendency was also observed in our
result shown in Fig. 5. Therefore,the appropriate sintering temperature of 1450 C is very important to obtain an excellent ceramic filter with high mechanical strength.In addition,chemical properties such as crystallinity and oxidation state,as well as physical properties should be considered in fabrication of a SiC ceramic filter.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีโครงสร้างยึดซี – O2 ถูกสังเกตในตัวอย่างของตัวกรองทั้งหมด อย่างไรก็ตาม ความเข้มสูงสุดกลายเป็นแข็งแรงที่มีเพิ่มอุณหภูมิเผาผนึกตั้งแต่ 1500 C c. 1550 ออกซิเดชันของ SiC SiO2 เพื่อนำไปสู่การลดลงของความแข็งแรงทางกล โดยเฉพาะ ความเข้มสูงสุดของพันธบัตรศรี – O2 มีสูงมากในตัวเผาที่1550 C และออกซิเดชันนี้ลดลงรุนแรงในความแข็งแรงทางกล แนวโน้มนี้ยังถูกพบในของเราผลที่แสดงใน Fig. 5 ดังนั้น 1450 C sintering อุณหภูมิที่เหมาะสมเป็นสิ่งสำคัญมากเพื่อให้ได้ตัวกรองเซรามิกที่ดี มีความแข็งแรงทางกลสูง คุณสมบัติทางเคมีเช่น crystallinity และสถานะออกซิเดชัน รวมทั้งคุณสมบัติทางกายภาพควรพิจารณาในการผลิตของตัวกรองเซรามิก SiC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Si-O2 โครงสร้างพันธะพบว่าในทุก samples.However
กรองความเข้มสูงสุดกลายเป็นที่แข็งแกร่งกับอุณหภูมิการเผาที่เพิ่มขึ้นตั้งแต่1,500 ซีซี 1550 ออกซิเดชันของ SIC ที่จะ SiO2
นำไปสู่การลดลงของความแข็งแรงเชิงกล โดยเฉพาะอย่างยิ่งความเข้มสูงสุดของพันธบัตร Si-O2 เป็นสูงมากในตัวกรองเผาที่
1,550 องศาเซลเซียสและการเกิดออกซิเดชันนี้นำไปสู่การลดลงอย่างมากในแนวโน้มกล strength.This
ยังพบว่าในของเราผลที่แสดงในรูป 5. ดังนั้นอุณหภูมิที่เหมาะสมในการเผา 1450 C เป็นสิ่งสำคัญมากที่จะได้รับกรองเซรามิกที่ยอดเยี่ยมด้วยการเพิ่ม strength.In เชิงกลสูงคุณสมบัติทางเคมีเช่นผลึกและสถานะออกซิเดชันเช่นเดียวกับคุณสมบัติทางกายภาพควรพิจารณาในการผลิตของ SiC กรองเซรามิก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นศรี ( O2 ) ในการเชื่อมโครงสร้างทั้งหมดของตัวกรองตัวอย่าง อย่างไรก็ตาม ความเข้มสูงสุดกลายเป็นที่แข็งแกร่งกับ
เพิ่มอุณหภูมิตั้งแต่ 1500 C 1550 C . ออกซิเดชันของ SIC จะนำไปสู่การลดลงของ SiO2
เชิงกลในการเผาซินเทอร์ โดยเฉพาะความเข้มสูงสุดของพันธบัตรศรี– O2 สูงมากในตัวกรองอุณหภูมิ
1550 Cและออกซิเดชันนี้นำไปสู่การลดความแข็งแรงเชิงกล แนวโน้มนี้ยังพบในผลแสดงในรูปที่ 5 ของเรา
. ดังนั้น การเผาผนึกที่อุณหภูมิที่เหมาะสมของ 1450 C เป็นสิ่งสำคัญมากที่จะได้รับตัวกรองเซรามิกที่ดีมีความแข็งแรงเชิงกลสูง นอกจากนี้ ทางเคมี เช่น ผลึก และปฏิกิริยาของรัฐตลอดจนคุณสมบัติทางกายภาพควรพิจารณาในการผลิตตัวกรองเซรามิก SIC .