The purpose of NAND Flash memories

The purpose of NAND Flash memories as nonvolatile memories is to store the user
data for years without requiring a supply voltage. The state-of-the-art NAND memory
cell is the 1T floating gate cell. In contrast to the 1T1C DRAM cell, which
consists of an access transistor and a separate capacitor as charge storage node, the
1T floating gate cell is a MOSFET whose gate is split, having a charge storage
node (floating gate) in between. This charge storage node, usually polysilicon, is
completely surrounded by oxide and, therefore, electrically isolated. The electrical
charges stored within the floating gate represent the nonvolatile information; the
program operation adds electrons to the floating gate according to the user data.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัตถุประสงค์ของ NAND Flash ความทรงจำเป็นความทรงจำ nonvolatile จะเก็บผู้ใช้ข้อมูลปีโดยแรงดันไฟฟ้า หน่วยความจำ NAND รัฐ-of-the-artเซลล์เป็นเซลล์ 1T ลอยเก ตรงข้ามเซลล์ DRAM 1T1C ซึ่งประกอบด้วยทรานซิสเตอร์การเข้าถึงและตัวเก็บประจุที่แยกเป็นค่าธรรมเนียมจัดเก็บโหน การ1T ลอยเกเซลล์เป็นแบบมอสเฟตที่ประตูถูกแบ่งออก มีการเก็บค่าธรรมเนียมโหนด (น้ำประตู) ระหว่าง โหนดนี้จัดเก็บค่าธรรมเนียม โดยปกติ polysilicon เป็นทั้งหมดล้อมรอบ ด้วยออกไซด์ และ จึง ไฟฟ้าแยกต่างหาก การไฟฟ้าค่าธรรมเนียมที่จัดเก็บอยู่ภายในประตูลอยแสดงข้อมูล nonvolatile ที่การทำงานโปรแกรมเพิ่มอิเล็กตรอนประตูลอยตามข้อมูลผู้ใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุดประสงค์ของความทรงจำ NAND Flash เป็นความทรงจำ nonvolatile
คือการเก็บผู้ใช้ข้อมูลเป็นเวลาหลายปีโดยไม่ต้องมีแรงดัน รัฐของศิลปะหน่วยความจำ NAND
เซลล์เป็นเซลล์ 1T ประตูลอย ในทางตรงกันข้ามกับเซลล์ 1T1C DRAM
ซึ่งประกอบด้วยทรานซิสเตอร์และการเข้าถึงตัวเก็บประจุแยกค่าใช้จ่ายการจัดเก็บโหนดที่
1T
เซลล์ประตูลอยเป็นมอสเฟตที่มีประตูถูกแบ่งออกมีค่าใช้จ่ายการจัดเก็บโหนด(ประตูลอย) ในระหว่างนั้น
การจัดเก็บค่าใช้จ่ายโหนดนี้มักจะโพลีซิลิคอนถูกล้อมรอบไปด้วยออกไซด์และจึงแยกไฟฟ้า ไฟฟ้าค่าใช้จ่ายที่เก็บไว้ภายในประตูลอยแสดงข้อมูล nonvolatile นั้น การทำงานของโปรแกรมเพิ่มอิเล็กตรอนประตูลอยตามข้อมูลที่ผู้ใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัตถุประสงค์ของแฟลช NAND มันเป็นความทรงจำ nonvolatile เพื่อเก็บข้อมูลผู้ใช้
ปีโดยไม่ต้องจ่ายแรงดันไฟฟ้า รัฐ - of - the - art และหน่วยความจำ
1t ประตูลอยเซลล์เป็นเซลล์ ในทางตรงกันข้ามกับ 1t1c DRAM ของเซลล์ซึ่งประกอบด้วยทรานซิสเตอร์
เข้าถึงและตัวเก็บประจุ แยกเป็นค่ากระเป๋าโหนด
1t ประตูลอยเซลล์เป็น MOSFET ที่มีประตูถูกแบ่งแยกมี
กระเป๋าค่าโหนด ( ประตูลอย ) ระหว่าง นี้ค่าใช้จ่ายที่เก็บโหนดมักจะ Polysilicon ,
ล้อมโดย ออกไซด์ และระบบไฟฟ้าแยก ไฟฟ้า
จัดเก็บค่าธรรมเนียมภายในประตูลอยแสดงข้อมูล nonvolatile ;
โปรแกรมการเพิ่มอิเล็กตรอนไปยังประตูลอยตามข้อมูลผู้ใช้