4. Conclusions
In this study, simple planar c-Si/PEDOT:PSS hybrid solar cells of
about 18 m thickness are fabricated, which have good flexibility.
The i a-Si and native oxidation passivation technologies are applied
to reduce the charge recombination at the inorganic/organic interface.
Among them, the i a-Si passivation method shows dramatic
advantages compared with the other ones. By controlling the thickness
of the i a-Si layer to 2 nm to balance the passivation effect and
the deterioration of internal electric field, the short current density
of photovoltaic devices can reach 83.0% of the theoretical limit, and
the PCE of the simple planar ultrathin flexible c-Si/PEDOT:PSS solar
cell can reach 5.68%. This study provides a prospective passivation
method for c-Si/PEDOT:PSS solar cells, and a very practical device
structure.
Acknowledgements
This work is supported partially by National High-tech R&D
Program of China (863 Program, No. 2015AA034601), National
Natural Science Foundation of China (Grant nos. 91333122,
51402106, 51372082, 51172069, 61204064 and 51202067), Ph.D.
Programs Foundation of Ministry of Education of China (Grant nos.
20120036120006, 20130036110012), Par-Eu Scholars Program,
and the Fundamental Research Funds for the Central Universities.
4. บทสรุปในการศึกษานี้ c ในระนาบเรียบง่าย / เซลล์แสงอาทิตย์ไฮบริ PEDOT:PSS ของประมาณ 18 เมตรความหนาจะประดิษฐ์ ซึ่งมีความยืดหยุ่นที่ดีI ใช้เทคโนโลยีทู่ออกซิเดชันเป็นศรี และเจ้าลด recombination ค่าที่อินนินทรีย์อินทรีย์ในหมู่พวกเขา i ทู่มีสี่วิธีแสดงละครข้อดีเมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ โดยการควบคุมความหนาของชั้นที่สี่เป็น 2 nm ดุลผลทู่ และการเสื่อมสภาพของสนามไฟฟ้าภายใน ความหนาแน่นในปัจจุบันสั้นอุปกรณ์พลังงานแสงอาทิตย์สามารถเข้าถึง 83.0% ของขีดจำกัดทางทฤษฎี และPCE ของง่ายระนาบบางเฉียบยืดหยุ่น c-ซี / พลังงานแสงอาทิตย์ PEDOT:PSSเซลล์ถึง 5.68% การศึกษานี้ให้ทู่อนาคตวิธีการใน c / เซลล์แสงอาทิตย์ PEDOT:PSS และอุปกรณ์การปฏิบัติมากโครงสร้างถาม-ตอบงานนี้ได้รับการสนับสนุนบางส่วน โดยชาติสูง R & Dโปรแกรมจีน (โปรแกรม 863 หมายเลข 2015AA034601), แห่งชาติพื้นฐานวิทยาศาสตร์ของจีน (เหลือชุด 9133312251402106, 51372082, 51172069, 61204064 และ 51202067), ปริญญาเอกโปรแกรมพื้นฐานของกระทรวงศึกษาธิการของจีน (หมายเลขให้20120036120006, 20130036110012), โปรแกรมนักวิชาการตราสหภาพยุโรปและทุนวิจัยพื้นฐานสำหรับมหาวิทยาลัยภาคกลาง
การแปล กรุณารอสักครู่..

4. สรุปผลการวิจัย
ในการศึกษานี้ง่ายระนาบ C-Si / PEDOT: PSS ไฮบริดเซลล์แสงอาทิตย์ของ
ประมาณ 18 เมตรความหนาจะถูกประดิษฐ์ที่มีความยืดหยุ่นที่ดี.
ไอที่ศรีและเทคโนโลยีออกซิเดชันทู่พื้นเมืองถูกนำมาใช้
เพื่อลดค่าใช้จ่ายในการรวมตัวกันที่ อินเตอร์เฟซนินทรีย์ / อินทรีย์.
ในหมู่พวกเขาฉันวิธีทู่ที่ศรีแสดงละคร
ได้เปรียบเมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ โดยการควบคุมความหนา
ของผมที่ศรีชั้น 2 นาโนเมตรเพื่อความสมดุลของผลทู่และ
การเสื่อมสภาพของสนามไฟฟ้าภายในความหนาแน่นกระแสสั้น ๆ
ของอุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์สามารถเข้าถึง 83.0% ของวงเงินทฤษฎีและ
PCE ของภาพถ่ายที่เรียบง่าย บางเฉียบมีความยืดหยุ่น C-Si / PEDOT: PSS แสงอาทิตย์
เซลล์สามารถเข้าถึง 5.68% การศึกษาครั้งนี้ยังมีในอนาคตทู่
วิธีการสำหรับ C-Si / PEDOT: PSS เซลล์แสงอาทิตย์และอุปกรณ์ทางปฏิบัติมาก
. โครงสร้าง
กิตติกรรมประกาศ
งานนี้ได้รับการสนับสนุนบางส่วนจากชาติไฮเทค R & D
โปรแกรมจีน (863 โปรแกรมเลข 2015AA034601) แห่งชาติ
มูลนิธิวิทยาศาสตร์ธรรมชาติแห่งประเทศจีน (แกรนท์ Nos. 91333122,
51402106, 51372082, 51172069, 61204064 และ 51202067), Ph.D.
หลักสูตรปูพื้นฐานของกระทรวงศึกษาธิการของประเทศจีน (แกรนท์ Nos.
20120036120006, 20130036110012), พาร์-EU โปรแกรมนักวิชาการ
และ กองทุนวิจัยพื้นฐานสำหรับมหาวิทยาลัยเซ็นทรัล
การแปล กรุณารอสักครู่..

4 . สรุปในการศึกษานี้ได้ง่าย วิธี c-si / pedot : แฮ่ ไฮบริดเซลล์แสงอาทิตย์ของประมาณ 18 เมตร ความหนาจะประดิษฐ์ ซึ่งมีความยืดหยุ่นดีผมอะมอร์ฟัสซิลิคอนและเทคโนโลยีารออกซิเดชันพื้นเมืองประยุกต์การลดค่าธรรมเนียม การรวมตัวที่อินเตอร์เฟซอินทรีย์ อนินทรีย์ /ในหมู่พวกเขา ฉันแสดงละครแบบอะมอร์ฟัสซิลิคอนรุ้งข้อดีเมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ โดยการควบคุมความหนาของชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอนชั้น 2 nm เพื่อความสมดุลและผลรุ้งการเสื่อมสภาพของภายในสนามไฟฟ้า , ความหนาแน่นกระแสสั้น ๆอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์สามารถเข้าถึง 83.0 % ของขีดจำกัดทางทฤษฎี และPCE ของระนาบยืดหยุ่นง่าย ultrathin c-si / pedot : แฮ่ พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์สามารถเข้าถึง 5.68 ล้านบาท การศึกษานี้ มีรุ้ง ในอนาคตวิธีการ c-si / pedot : แฮ่ โซล่าเซลล์ และอุปกรณ์การปฏิบัติมากโครงสร้างกิตติกรรมประกาศงานนี้ ได้รับการสนับสนุนบางส่วน โดย R & D ไฮเทคแห่งชาติโปรแกรมจีน ( 863 รายการ ไม่ 2015aa034601 ) แห่งชาติมูลนิธิวิทยาศาสตร์แห่งประเทศจีน ( NOS 91333122 แกรนท์ ,51402106 51372082 51172069 , , , และ 61204064 51202067 ) , Ph.D .พื้นฐานโปรแกรมของกระทรวงศึกษาธิการของประเทศจีน ( แกรนท์ NOS20120036120006 20130036110012 ) , นักวิชาการโครงการ EU ราคาพาร์และพื้นฐานการวิจัยเงินทุนสำหรับมหาวิทยาลัยภาคกลาง
การแปล กรุณารอสักครู่..
