depicts the X-ray diffraction (XRD)

depicts the X-ray diffraction (XRD) patterns of all photo-catalysts and their references. In details, Fig. 1a reveals patterns ofthe prepared GaN:ZnO sample and its precursors of -Ga2O3andZnO. Clearly, the position of the d (1 0 0) diffraction peak of GaN:ZnOshifted slightly to higher angles (2-theta), in comparison with thatof ZnO. Moreover, no peaks can be assigned to either Ga2O3or ZnO,indicating that complete nitridation of the precursors was achievedby nitriding a mixture of -Ga2O3and ZnO at 1125 K for 15 h. Thisphenomenon is consistent with that observed in previous stud-ies [19,20]. There is no noticeable change in their XRD patternsbefore and after loading the Ni/NiO as co-catalysts, (Fig. 1b), sug-gesting that Ni/NiO co-catalysts did not change the structure ofbulk. However, the presence of Ni/NiO co-catalyst slightly reducesthe GaN:ZnO crystallites. All the peaks of GaN:ZnO have inten-sity higher than that of GaN:ZnO–Ni/NiO. Additionally, we alsoobserved no change in the XRD pattern of GaN:ZnO–Ni/NiO after8 h of reaction, indicating that this photocatalyst was essentiallystable in the reaction. Fig. 1c shows that the XRD pattern of WO3which is similar to that of orthorhombic WO3(JCPDS file 20-1324)[13]. Obviously, the peaks of Pt are not detected, showing that Ptloading is very small and highly dispersed on the WO3surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงให้เห็นรูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ (XRD) ของภาพตัวเร่งปฏิกิริยาทั้งหมดและการอ้างอิงของพวกเขา รายละเอียด รูป 1a เผยให้เห็นรูปแบบของตัวอย่างเตรียม GaN:ZnO และของสารตั้งต้น - Ga2O3andZnO อย่างชัดเจน ตำแหน่งของ d (1 0 0) กระจายสูงสุด GaN:ZnOshifted เล็กน้อยเพื่อเปรียบเทียบกับ thatof ZnO สูงมุม (2 ที), นอกจากนี้ ยอดไม่สามารถกำหนดให้ ZnO ทั้ง Ga2O3or, nitridation ที่สมบูรณ์ของสารตั้งต้นบ่งชี้ว่า ท่าน achievedby nitriding เป็นส่วนผสมของ - Ga2O3and ZnO 1125 K สำหรับ 15 h. Thisphenomenon สอดคล้องกับที่พบในก่อนหน้าสตั๊ด-ies [19,20] ไม่เห็นเปลี่ยนแปลง ใน patternsbefore XRD ของพวกเขา และหลัง จากโหลด Ni/NiO เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาร่วม, (รูป 1b), sug gesting ว่า ตัวเร่งปฏิกิริยา Ni/NiO ร่วมไม่ได้เปลี่ยน ofbulk โครงสร้างได้ อย่างไรก็ตาม การปรากฏตัวของตัวเร่งปฏิกิริยา Ni/NiO ร่วม crystallites GaN:ZnO reducesthe เล็กน้อย มียอดเขาทั้งหมดของ GaN:ZnO นวนเมืองสูงกว่าที่ GaN:ZnO – Ni/NiO นอกจากนี้ เรา alsoobserved ไม่เปลี่ยนแปลงรูปแบบการ XRD ของ GaN:ZnO – h ของปฏิกิริยา ระบุว่า photocatalyst นี้ essentiallystable ในปฏิกิริยา Ni/NiO after8 รูปที่ 1c แสดงว่า รูป XRD ของ WO3which จะคล้ายกับของ orthorhombic WO3 (JCPDS file 20 1324) [13] เห็นได้ชัด ยอดเขาของ Pt จะตรวจไม่พบ แสดงว่า Ptloading ที่มีขนาดเล็กมาก และขยายบน WO3surface

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นถึงรูปแบบการเอ็กซ์เรย์เลนส์ (XRD) ทุกภาพตัวเร่งปฏิกิริยาและการอ้างอิงของพวกเขา ในรายละเอียดรูป 1a เผยให้เห็นรูปแบบ ofthe กานเตรียม: ตัวอย่างซิงค์ออกไซด์และสารตั้งต้นของ -Ga2O3andZnO เห็นได้ชัดว่าตำแหน่งของง (1 0 0) การเลี้ยวเบนจุดสูงสุดของกาน: ZnOshifted เล็กน้อยเป็นมุมที่สูงขึ้น (2 ที) ในการเปรียบเทียบกับ ZnO thatof นอกจากนี้ยังไม่มียอดเขาสามารถกำหนดให้ทั้ง Ga2O3or ZnO แสดงให้เห็นว่าไนไตรสมบูรณ์ของสารตั้งต้นเป็นไนไตรด์ที่เกิดกับผู้ที่มีส่วนผสมของ? -Ga2O3and ZnO ที่ 1125 K สำหรับ 15 ชั่​​วโมง Thisphenomenon สอดคล้องกับที่พบในก่อนหน้านี้สตั๊ดโอบอุ้ม [19,20] ไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่เห็นได้ชัดใน patternsbefore XRD ของพวกเขาและหลังจากโหลด Ni / NiO ร่วมเป็นตัวเร่งปฏิกิริยา, (รูปที่ 1b.) Sug-gesting ว่า Ni / NiO CO-ตัวเร่งปฏิกิริยาไม่ได้เปลี่ยน ofbulk โครงสร้างเป็น แต่การปรากฏตัวของ Ni / NiO ร่วมตัวเร่งปฏิกิริยาเล็กน้อย reducesthe กาน: crystallites ซิงค์ออกไซด์ ทุกยอดกาน: ZnO มี Inten-Sity สูงกว่ากาน: ZnO-Ni / NiO นอกจากนี้เรา alsoobserved การเปลี่ยนแปลงในรูปแบบ XRD กาน No: ZnO-Ni / NiO after8 ชั่วโมงของการเกิดปฏิกิริยาแสดงให้เห็นว่าเรื่องนี้เป็น photocatalyst essentiallystable ในการทำปฏิกิริยา มะเดื่อ. 1C แสดงให้เห็นว่ารูปแบบ XRD ของ WO3which จะคล้ายกับที่ของ WO3 ผลึก (JCPDS ไฟล์ 20-1324) [13] เห็นได้ชัดว่ายอด Pt จะไม่ตรวจพบแสดงให้เห็นว่า Ptloading มีขนาดเล็กมากและแพร่ระบาดสูงใน WO3surface

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ ) รูปแบบของตัวเร่งปฏิกิริยาภาพถ่ายและการอ้างอิงของพวกเขา รายละเอียดของรูปที่ 1A พบรูปแบบของเตรียมกาน : ZnO ตัวอย่างและสารตั้งต้นของมัน - ga2o3andzno . ชัดเจน ตำแหน่ง D ( 1 0 0 ) โดยจุดสูงสุดของกาน : znoshifted เล็กน้อยมุมสูง ( 2-theta ) ในการเปรียบเทียบกับอาร์เอสเช่นกัน นอกจากไม่มียอดสามารถมอบหมายให้ ga2o3or เช่นกัน ระบุว่า เดชั่นที่สมบูรณ์ของการเป็น achievedby nitriding ส่วนผสมของซิงค์ออกไซด์ที่ 1125 - ga2o3and K 15 ชั่วโมง thisphenomenon สอดคล้องกับที่พบในก่อนหน้านี้ทาง [ สตั๊ด 19,20 ] ไม่มีสามารถเปลี่ยนแปลงในตนและ XRD patternsbefore หลังจากโหลด นิ / นีโอเป็นตัวเร่งปฏิกิริยา Co ( รูปที่ 1A ) น้องสาวที่ฉัน gesting ตัวเร่งปฏิกิริยา Co / นีโอไม่ได้เปลี่ยนโครงสร้าง ofbulk . อย่างไรก็ตาม การปรากฏตัวของตัวเร่งปฏิกิริยา Ni / นีโอ Co เล็กน้อย reducesthe กาน : P crystallites . ทุกยอดของกาน : ZnO มี inten sity สูงกว่าของกาน : P ) N / นีโอ . นอกจากนี้ เราต่างกันมีการเปลี่ยนแปลงในรูปแบบของรังสีเอ็กซ์โดย : ZnO และ Ni / นีโอ after8 H ของปฏิกิริยาแสดงให้เห็นว่า photocatalyst นี้ essentiallystable ในปฏิกิริยา รูปที่ 1 ซีพบว่ารูปแบบของ wo3which รังสีเอ็กซ์จะคล้ายกับที่ของออร์โทรอมบิก wo3 ( jcpds ไฟล์ 20-1324 ) [ 13 ] เห็นได้ชัดว่า ยอดของ PT จะไม่พบ แสดงว่า ptloading มีขนาดเล็กมากและสูงกระจายบน wo3surface .