which are useful for defect reduction and new device structures. These new areas include work on the currently important growth of SiC and GaN for diode applications.
ซึ่งจะมีประโยชน์ในการลดข้อบกพร่องและโครงสร้างอุปกรณ์ใหม่ พื้นที่ใหม่เหล่านี้รวมถึงการทำงานเกี่ยวกับการเจริญเติบโตที่สำคัญในปัจจุบันของ SiC และกานสำหรับไดโอด การใช้งาน