which are useful for defect reducti

which are useful for defect reduction and new device structures. These new areas include work on the currently important growth of SiC and GaN for diode
applications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งมีประโยชน์สำหรับการลดข้อบกพร่องและโครงสร้างอุปกรณ์ใหม่ พื้นที่เหล่านี้ใหม่รวมงานเติบโตสำคัญในปัจจุบันของ SiC และกันสำหรับไดโอดการใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งจะมีประโยชน์ในการลดข้อบกพร่องและโครงสร้างอุปกรณ์ใหม่ พื้นที่ใหม่เหล่านี้รวมถึงการทำงานเกี่ยวกับการเจริญเติบโตที่สำคัญในปัจจุบันของ SiC และกานสำหรับไดโอด
การใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งจะเป็นประโยชน์ในการลดปริมาณของเสียและโครงสร้างของอุปกรณ์ใหม่ พื้นที่ใหม่เหล่านี้รวมถึงการทำงานในขณะนี้ ที่สำคัญการเติบโตของซิลิกอนไดโอด และ กัน สำหรับการประยุกต์ใช้