Third,many new in terfaces are in t

Third,many new in terfaces are in troduced in the system.The Material A forms interfaces with the Material B on two sides, EAC ceramic on the third side, and core on the fourth side. Both material A and material B are epoxy based polymers with proprietary additives with different silica filler % to provide the required stiffness. The typical filler % in Material A is about 1.3×to 1.5×that of Material B. The EAC is expected to expandnegligiblyinthethickness(Z)directionwhencompared to the EAC cavity material and the core at reflow temperature. This difference will be directly reflected into the warpage of the C4 area—impacting the first level interconnect (FLI) joint formation process. Lastly, the risk of ceramic cracks during the high pressure of the substrate BU process cannot bediscounted

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่สาม หลายใหม่ใน terfaces อยู่ใน troduced ในระบบ อินเทอร์เฟซแบบฟอร์มวัสดุ A กับ B วัสดุทั้งสองด้าน เซรามิก EAC ในสามด้าน และหลักสี่ด้าน วัสดุ A และวัสดุ B มีคะแนนอีพ็อกซี่โพลิเมอร์ ด้วยสารกรรมสิทธิ์% filler ซิลิกาที่แตกต่างกันเพื่อให้ตึงจำเป็น % filler ทั่วไปวัสดุ A มีประมาณ 1.3 ×เป็น 1.5 ×ที่วัสดุข. EAC คาดว่าจะ directionwhencompared expandnegligiblyinthethickness (Z) วัสดุโพรง EAC และหลักที่อุณหภูมิ reflow ความแตกต่างนี้จะตรง reflected เป็นความโก่งงอของพื้นที่ C4 — ผลระดับแรก (FLI) ร่วมสร้างกระบวนการการเชื่อมต่อ สุดท้าย ความเสี่ยงของเซรามิกรอยแตกระหว่างแรงดันของกระบวนการบุพื้นผิวไม่ bediscounted

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ประการที่สามใหม่ ๆ อีกมากมายใน terfaces อยู่ใน troduced ใน system.The วัสดุรูปแบบการเชื่อมต่อกับวัสดุ B ทั้งสองด้าน EAC เซรามิกในด้านที่สามและหลักในด้านที่สี่ วัสดุทั้ง A และ B มีวัสดุพอลิเมออีพ็อกซี่ที่มีสารที่เป็นกรรมสิทธิ์ที่มีซิลิกา Fi ller ที่แตกต่างกัน% เพื่อให้ตึงที่จำเป็น โดยทั่วไป Fi ller% ในวัสดุที่เป็นเรื่องเกี่ยวกับ 1.3 × 1.5 ×ของวัสดุบี EAC คาดว่าจะ expandnegligiblyinthethickness (Z) directionwhencompared กับวัสดุโพรง EAC และแกนที่ฟลอริด้าอีกครั้งโอ๊ยอุณหภูมิ ความแตกต่างนี้จะโดยตรงอีกครั้ง FL ected เข้าไปในตัวอย่างประโยชน์ของพื้นที่ส่งผลกระทบต่อการเชื่อมต่อระดับ Fi RST (FLI) กระบวนการก่อตัวร่วม C4 สุดท้ายความเสี่ยงของรอยแตกเซรามิกในช่วงแรงดันสูงของพื้นผิวกระบวนการ BU ไม่สามารถ bediscounted

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สามใหม่จำนวนมากใน terfaces ใน troduced ในระบบ วัสดุเป็นรูปแบบการเชื่อมต่อกับวัสดุ B สองด้าน , EAC เซรามิกด้านสามแกนและด้านข้าง 4 ทั้งวัสดุและวัสดุพอลิเมอร์ด้วยสารอีพ็อกซี่ B ตามกรรมสิทธิ์ที่มีซิลิกาจึง ller % ให้ต้องตึง โดยทั่วไปจึง ller ในวัสดุประมาณ 1.5 × 1.2 ×ของวัสดุ B EAC คาดว่าจะ expandnegligiblyinthethickness ( Z ) directionwhencompared กับ EAC ในวัสดุ และหลักที่เป็นflโอ๊ยอุณหภูมิ ความแตกต่างนี้จะโดยตรงอีกครั้งflประมวลลงในความโก่งงอของ C4 จึงตัดสินใจเดินทางไปพื้นที่ส่งผลกระทบต่อระดับ interconnect ( FLI ) การพัฒนากระบวนการร่วมกัน ท้ายนี้ ความเสี่ยงของรอยแตกเซรามิกในความดันสูงของพื้นผิว กระบวนการที่ไม่สามารถ bediscounted บู