In order to determine lead in propo

In order to determine lead in propolis samples, a pre-treatment step was necessary to stabilize the surface of the modified electrode before each measurement. This step involved cyclic voltammograms from −1.40 V to 0.20 V with a scan rate of 0.100 V s−1 in pH 4.5 acetate buffer solution. SWASV measurementswere carried out in pH4.5 acetate buffer solution containing 1000 μg L−1 of Bi(III). The experiments were performed with an in situ deposited bismuth film on MWCNT/DMF/NA/GC (BiFE) with a deposition time of 120 s at −1.40 V, under conditions of forced convection (stirring). Then, the stirring was stopped and after 10 s the voltammogram was recorded in square-wave voltammetric mode between −1.40 and 0.20 V. Other experimental parameters were: step potential, ΔEs=2 mV; frequency, f=25 Hz and amplitude of the square wave, ΔEsw=40 mV. After a series of measurements, the bismuth film and the residual metals were removed by applying 0.20 V during 30 s under stirring conditions. All themeasurementswere carried out at room temperature in non-deaerated solutions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อตรวจสอบในตัวอย่างของพรอพอลิส ขั้นตอนก่อนรักษาเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อรักษาเสถียรภาพของพื้นผิวของขั้วไฟฟ้าแก้ไขก่อนการวัดแต่ละ ขั้นตอนนี้เกี่ยวข้องกับวงจร voltammograms จาก −1.40 V ไป 0.20 V มีอัตราการสแกน 0.100 V s−1 ในโซลูชันบัฟเฟอร์ที่ค่า pH 4.5 อะซิเตท SWASV measurementswere ดำเนินในโซลูชันบัฟเฟอร์อะซิเต pH4.5 ประกอบด้วย 1000 ไมโครกรัม L−1 Bi(III) การทดลองดำเนินการฝากบิสมัทในแหล่งกำเนิดฟิล์มบน MWCNT/DMF/นา/GC (BiFE) มีเวลาสะสมของ s ที่ −1.40 V ภายใต้เงื่อนไขของการพาความร้อนแบบบังคับ (กวน) แล้ว หยุดการกวน และ หลัง 10 s voltammogram ที่บันทึกในโหมด voltammetric สแควร์-คลื่นระหว่าง −1.40 และ 0.20 V มีพารามิเตอร์อื่น ๆ ทดลอง: ขั้นตอนมีศักยภาพ ΔEs = 2 mV ความถี่ f = 25 Hz และคลื่นของคลื่นสี่เหลี่ยม ΔEsw = 40 mV หลังจากที่ชุดของการวัด ฟิล์มบิสมัทและโลหะเหลือถูกเอาออก โดยใช้ 0.20 V ในช่วง 30 วินาทีภายใต้เงื่อนไขกวน Themeasurementswere ทั้งหมดทำที่อุณหภูมิห้องในการแก้ปัญหาที่ไม่ใช่ deaerated

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อตรวจสอบตะกั่วในตัวอย่างโพลิสที่มีขั้นตอนการรักษาก่อนเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อรักษาเสถียรภาพของพื้นผิวของอิเล็กโทรดที่มีการแก้ไขก่อนที่แต่ละวัด ขั้นตอนนี้เกี่ยวข้องกับการ voltammograms วงจรจาก -1.40 V ถึง 0.20 V ที่มีอัตราการสแกน 0.100 V S-1 ในค่า pH 4.5 สารละลายบัฟเฟอร์อะซิเตท SWASV measurementswere การดำเนินการในการแก้ปัญหา pH4.5 อะซิเตตบัฟเฟอร์ที่มี 1,000 ไมโครกรัม L-1 ของ Bi (III) การทดลองดำเนินการที่มีอยู่ในแหล่งกำเนิดฝากภาพยนตร์บิสมัทใน MWCNT / DMF / นา / GC (bife) มีระยะเวลาการสะสมของ 120 s ที่ -1.40 V ภายใต้เงื่อนไขของการหมุนเวียนบังคับ (กวน) จากนั้นกวนก็หยุดและหลัง 10 วินาที voltammogram ได้รับการบันทึกในโหมด voltammetric ตารางคลื่นระหว่าง -1.40 และ 0.20 โวลต์พารามิเตอร์การทดลองอื่น ๆ : ศักยภาพขั้นตอนΔEs = 2 mV; ความถี่ f = 25 เฮิร์ตซ์และความกว้างของตารางคลื่นΔEsw = 40 mV หลังจากที่ชุดของการวัดฟิล์มบิสมัทและโลหะที่เหลือถูกถอดออกโดยการใช้ 0.20 V ในช่วง 30 วินาทีภายใต้เงื่อนไขกวน ทั้งหมด themeasurementswere ดำเนินการที่อุณหภูมิห้องในการแก้ปัญหาที่ไม่ deaerated