where d is the thickness of the fil

where d is the thickness of the film; the subscripts Q and S refer to the quartz or the sample, respectively. By plotting (α hν)1/2 versus hν (i.e. Tauc plot) and using a linear fit, Eg can be easily extracted (Eg is the intercept of the linear fit with the abscissa axis). The Tauc plot (red dashed line in Fig. 4) of the nanofibers annealed at 550 °C gave an energy gap of ∼3.2 eV. Assuming an error of ∼10% in the determination of the band-gap, the value of 3.22 eV is in good agreement with the values reported in the literature for bulk ZnO [1].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ d คือ ความหนาของฟิล์ม ตัวห้อย Q และ S หมายถึงแร่ควอทซ์หรือตัว ตามลำดับ โดยพล็อต (α hν) 1/2 เมื่อเทียบกับ hν (เช่น Tauc พล็อต) และใช้เป็นแบบเชิงเส้น เช่นสามารถถูกได้แยก (เช่นเป็นจุดตัดของเส้นตรงให้พอดีกับแกน abscissa) แปลง Tauc (สีแดงเส้นประในรูปที่ 4) nanofibers อบ 550 ° c ให้มีช่องว่างพลังงานของ ∼3.2 eV สมมติว่ามีข้อผิดพลาด ∼10% ในการกำหนดช่องว่างวง ค่าของขนาด 3.22 eV มีในข้อตกลงที่ดี มีค่าที่รายงานในวรรณคดีสำหรับจำนวนมาก ZnO [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

d เป็นความหนาของฟิล์มนั้น ห้อย Q และ S หมายถึงควอ​​ทซ์หรือตัวอย่างตามลำดับ โดยพล็อต (αhν) 1/2 เมื่อเทียบกับhν (เช่น Tauc พล็อต) และการใช้แบบเชิงเส้นเช่นสามารถสกัดได้ง่าย (เช่นเป็นจุดตัดของแบบเชิงเส้นที่มีแกนพิกัดที่) พล็อต Tauc (สีแดงเส้นประในรูปที่. 4) ของเส้นใยนาโนอบที่ 550 องศาเซลเซียสทำให้ช่องว่างการใช้พลังงานของ ~3.2 eV สมมติว่ามีข้อผิดพลาดของ ~ 10% ในการกำหนดวงช่องว่างค่าของ 3.22 eV อยู่ในข้อตกลงที่ดีกับค่าที่รายงานในวรรณคดีสำหรับกลุ่ม ZnO [1]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซึ่งมีความหนาของฟิล์ม ; subscripts Q และ S อ้างถึง ควอตซ์ หรือตัวอย่าง ตามลำดับ โดยวางแผน ( α H ν ) 1 / 2 เทียบกับ H ν ( เช่นพล็อต tauc ) และใช้แบบเชิงเส้น เช่น สามารถสกัดได้ง่าย ( เช่นเป็นสกัดกั้นของเส้นอักษรพอดีกับแกน ) การ tauc พล็อต ( เส้นประสีแดง ในรูปที่ 4 ) ของเส้นใยที่ 550 องศา C อบให้ช่องว่างพลังงานของ∼ 3.2 EV สมมติว่ามีข้อผิดพลาดของ∼ 10 % ในการหาช่องว่างแถบ , ค่า EV เป็น 3.22 มีความสอดคล้องกับค่านิยมรายงานในวรรณคดีสำหรับกลุ่มซิงค์ออกไซด์ [ 1 ]