described at some length in prior publications [55,56].
These data were collected on a 50 × 50 nm2 area, i.e.,
each pixel corresponds to 1 × 1 Å2; the lattice constant
of the material is 3.8 Å. The Z position of the piezo was
recorded on a separate channel prior to the Z-feedback
disengage at the beginning of each bias waveform sequence,
resulting in a 150 × 150 pixel topographic map.
The Z channel spectroscopy image and the average
spectroscopy signal are shown in Figure 2a, and the
inset in the top right corner is the average currentvoltage
(IV) curve for the entire image. Approximate
acquisition time for the CITS map was 8 to 10 h which
resulted in some drift, apparent in the bottom portion
of Figure 2a.
The spatial variability of the electronic behavior across
the surface was analyzed using PCA [35-37,39,57]. PCA
eigenvector and loading map pairs for components 2
and 3 are shown in Figure 2b,c for the FeTe0.55Se0.45
CITS data set. It is useful to analyze the eigenvectors
and loadings simultaneously to examine the changes in
the signal first (the eigenvector here) and its spatial
distribution next (the loading). From a statistical perspective,
we are mapping sources of electronic inhomogeneity
arising from the negative portion of the IV curve in both
components, as illustrated in Figure 2b,c. The second
eigenvector shown in Figure 2b (upper right corner inset)
อธิบายบางยาวในสิ่งพิมพ์ก่อน [55,56]ข้อมูลเหล่านี้ถูกจัดเก็บบนพื้นที่ nm2 50 × 50,,แต่ละพิกเซลตรงกับ 1 × 1 Å2 คงตาข่ายวัสดุเป็น 3.8 Å ตำแหน่ง Z ของ piezo ถูกบันทึกสถานีแยกก่อน Z-ติชมไล่ที่จุดเริ่มต้นของแต่ละรูปคลื่น bias ลำดับเกิดในแผนที่ topographic พิกเซล 150 × 150รูปมิกช่อง Z และค่าเฉลี่ยมิกสัญญาณแสดงในรูปที่ 2a และแทรกภาพไปทางมุมบนขวาเป็น currentvoltage เฉลี่ย(IV) โค้งสำหรับภาพทั้งหมด ประมาณเวลาซื้อแผนที่ CITS ถูก h 8-10 ซึ่งส่งผลให้บางลอย ในส่วนล่างของรูปที่ 2aความแปรปรวนเชิงพื้นที่ของการทำงานอิเล็กทรอนิกส์ผ่านพื้นผิวถูกวิเคราะห์โดยใช้ PCA [35-37,39,57] PCAeigenvector และโหลดแผนที่คู่สำหรับคอมโพเนนต์ 2และ 3 แสดงในรูปที่ 2b, c สำหรับการ FeTe0.55Se0.45ตั้งค่าข้อมูล CITS ใช้การวิเคราะห์แบบเวกเตอร์ลักษณะเฉพาะและการรับน้ำหนักพร้อมกันเพื่อตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงในสัญญาณแรก (eigenvector นี่) และของปริภูมิการแจกจ่ายต่อไป (โหลด) จากการมองทางสถิติเรามีการแมปแหล่งอิเล็กทรอนิกส์ inhomogeneityเกิดจากส่วนลบโค้ง IV ทั้งในส่วนประกอบ ดังที่แสดงในรูปที่ 2b, c ครั้งที่สองแสดงในรูปที่ 2b eigenvector (แทรกภาพไปทางมุมบนขวา)
การแปล กรุณารอสักครู่..
