Since the rDNA is modified with thi

Since the rDNA is modified with thiolated group at the 5′ end, the resulted dsDNA-GaAs surface has multiple binding sites for interaction with GNPs, thereby leading to high density GNPs assembly on GaAs substrate. By keeping the GNPs with radius of 5 ± 0.5 nm and concentration of 50 nM, but altering the ionic strength of the gold colloid, the GNPs would bind with the thiolated rDNA on dsDNA-GaAs surface. The as-resulted GaAs-dsDNA-GNPs substrates were then analyzed using steady-state PL spectroscopy. The results are averaged over 10–15 measurements on different areas for each spectra. It was found that when the thiolated dsDNA-GaAs incubated with GNPs, another ∼7-fold increase in PL intensity of GaAs was obtained (Fig. 2A). In contrast, only little PL signal change was observed when the untreated GaAs or nonthiolated dsDNA-GaAs (with nonthiolated rDNA) incubated with GNPs. Scanning electron microscopy (SEM) was used to directly characterize the GNPs attachment on GaAs surface. As shown in Fig. 2B, a typical GNPs-GaAs hybrid structure was obtained by incubating thiolated dsDNA-GaAs with GNPs. The GNPs were evenly distributed over the whole GaAs surface with a diameter of ∼5 nm. Whereas, untreated or nonthiolated dsDNA-GaAs resulted in a clean surface without any GNPs. Therefore, the functionalized DNA duplex scaffolds are responsible for GNPs attachment on GaAs substrate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตั้งแต่ rDNA มีแก้ไขกับกลุ่ม thiolated ปลาย 5 ′ ส่งผลให้ dsDNA-GaAs มีหลายผูกไซต์สำหรับการโต้ตอบกับ GNPs จึงนำไปสู่ความหนาแน่นสูงประกอบ GNPs บน GaAs พื้นผิว โดยการรักษา GNPs รัศมี 5 ± 0.5 nm และความเข้มข้น 50 nM แต่การเปลี่ยนแปลงความแรงของไอออนของคอลลอยด์ทอง GNPs จะผูกกับ rDNA thiolated บน dsDNA GaAs surface พื้นผิวผลเป็น GaAs-dsDNA-GNPs มีแล้ววิเคราะห์โดยใช้สเปกโทรสโก PL เสถียร ผลลัพธ์คือเฉลี่ยมากกว่า 10 – 15 การวัดสเปกตรัมแต่ละพื้นที่แตกต่างกัน จะพบว่า เมื่อรับการ thiolated dsDNA-GaAs กกกับ GNPs, ∼7 พับเพิ่มขึ้นอีกใน PL เข้มของ GaAs ได้รับ (รูป 2A) ตรงกันข้าม เฉพาะ PL สัญญาณเปลี่ยนไปเล็กน้อยพบว่า เมื่อบำบัด GaAs หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs (กับ nonthiolated rDNA) รับการกกกับ GNPs สแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ใช้การอธิบายลักษณะสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs surface โดยตรง ดังแสดงในรูป 2B โครงสร้างไฮบริ GNPs GaAs ทั่วไปได้รับ โดย incubating thiolated dsDNA GaAs ด้วย GNPs GNPs ได้กระจายพื้น GaAs ทั้งอาหาร ∼5 nm ขณะ ไม่ถูกรักษา หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวสะอาดโดยไม่ GNPs ใด ๆ ดังนั้น scaffolds เพล็กซ์ดีเอ็นเอที่ functionalized รับผิดชอบสำหรับสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs พื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตั้งแต่ rDNA มีการแก้ไขกับกลุ่ม thiolated ที่ปลาย 5 'ส่งผลให้พื้นผิว dsDNA-GaAs มีเว็บไซต์ที่มีผลผูกพันหลายปฏิสัมพันธ์กับ GNPs จึงนำไปสู่ความหนาแน่นสูง GNPs ชุมนุมบนพื้นผิว GaAs โดยการรักษา GNPs ที่มีรัศมี 5 ± 0.5 นาโนเมตรและความเข้มข้นของ 50 นาโนเมตร แต่การเปลี่ยนแปลงความแรงของอิออนของคอลลอยด์ทอง GNPs จะผูกกับ thiolated rDNA บนพื้นผิว dsDNA-GaAs AS-ส่งผลให้พื้นผิว GaAs-dsDNA-GNPs ถูกแล้ววิเคราะห์โดยใช้มั่นคงของรัฐ PL สเปกโทรสโก ผลที่จะได้เฉลี่ยเกิน 10-15 วัดในพื้นที่ที่แตกต่างกันสำหรับแต่ละสเปกตรัม นอกจากนี้ยังพบว่าเมื่อ thiolated dsDNA-GaAs บ่มกับ GNPs อื่นเพิ่มขึ้น ~7 เท่าในความเข้มของ PL GaAs ได้ (รูป. 2A) ในทางตรงกันข้ามการเปลี่ยนแปลงเพียงเล็กน้อยสัญญาณ PL พบว่าเมื่อได้รับการรักษาหรือ GaAs nonthiolated dsDNA-GaAs (กับ nonthiolated rDNA) บ่มกับ GNPs กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ได้ถูกใช้ในลักษณะของสิ่งที่แนบมาโดยตรง GNPs บนพื้นผิว GaAs ดังแสดงในรูป 2B, ทั่วไปโครงสร้างไฮบริด GNPs-GaAs ได้มาจากการบ่ม thiolated dsDNA-GaAs กับ GNPs GNPs มีการกระจายอย่างสม่ำเสมอตลอดพื้นผิว GaAs ทั้งที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง ~5 นาโนเมตร ในขณะที่ได้รับการรักษาหรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวที่สะอาดโดยไม่ต้อง GNPs ใด ๆ ดังนั้นฟังก์ชันดีเอ็นเอโครงเพล็กซ์มีความรับผิดชอบในสิ่งที่แนบมาใน GNPs GaAs สารตั้งต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพราะด้วยการดัดแปลงกับ thiolated กลุ่มที่ 5 ได้รับสิ้นสุด เป็นผล dsdna ในพื้นผิวได้หลายเว็บไซต์การปฏิสัมพันธ์กับ gnps จึงนำไปสู่การประกอบ gnps ความหนาแน่นสูงในในพื้นผิว โดยการรักษา gnps กับรัศมี 5 ± 0.5 นาโนเมตรความเข้มข้น 50 nm แต่เปลี่ยนความแรงไอออนของทองคอลลอยด์ , gnps จะผูกกับ thiolated dsdna GaAs ชนิดบนพื้นผิว ที่ส่งผลใน dsdna วิเคราะห์ข้อมูลโดยใช้ gnps พื้นผิวคงที่ PL สเปกโทรสโกปี ผลเฉลี่ยมากกว่า 10 – 15 วัดในพื้นที่ที่แตกต่างกันสำหรับแต่ละช่วง . พบว่าเมื่อ thiolated dsdna แกลเลียมอาร์เซไนด์แยก gnps อีก∼ 7-fold เพิ่มความเข้มในสิ่งที่ได้รับ ( รูปที่ 2A ) ในทางตรงกันข้าม มีเพียงเล็กน้อย พบว่าสัญญาณที่จะเปลี่ยนเมื่อแกลเลียมอาร์เซไนด์ดิบ หรือ nonthiolated dsdna GaAs ( nonthiolated rDNA ) แยก gnps . กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) มาใช้โดยตรง ลักษณะของสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs พื้นผิว ดังแสดงในรูปที่ 2B เป็นลูกผสม gnps ในโครงสร้างได้ โดยการแช่ thiolated dsdna GaAs ด้วย gnps . การ gnps กำลังกระจายตัวทั่วทั้งพื้นผิวแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่มีเส้นผ่าศูนย์กลาง∼ 5 นาโนเมตร ส่วนดิบ หรือ nonthiolated dsdna นี้มีผลในการทำความสะอาดผิว โดยไม่ gnps . ดังนั้น ที่มี DNA เพล็กซ์นั่งร้านรับผิดชอบสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs substrate .