To prevent the accumulation of stat

To prevent the accumulation of static charge on the gate capacitor of a MOSFET, gate protection devices are usually included at the input of MOS integrated circuits. The protection mechanism invariably makes use of clamping diodes (see Fig. 13.48).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อป้องกันการสะสมของค่าคงตัวเก็บประจุประตูของมอสเฟตแบบ อุปกรณ์ป้องกันประตูได้ปกติที่อินพุตของวงจรรวม MOS กลไกป้องกันเสมอทำให้ใช้ล็อค diodes (ดู Fig. 13.48)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อป้องกันการสะสมของค่าใช้จ่ายคงที่ในตัวเก็บประจุประตูของมอสเฟต, อุปกรณ์ป้องกันประตูมักจะรวมที่ใส่ของวงจรรวม MOS กลไกการป้องกันอย่างสม่ำเสมอทำให้การใช้ไดโอดหนีบ (ดูรูป. 13.48)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อป้องกันการสะสมของประจุไฟฟ้าไฟฟ้าสถิตบนประตูของ MOSFET , อุปกรณ์ป้องกันประตูมักจะรวมที่อินพุตของ MOS บูรณาการวงจร กลไกการป้องกันทุกเมื่อเชื่อวัน ทำให้ใช้หนีบไดโอด ( ดูรูปที่ 13.48 )