the change in the I-V curve is diff

the change in the I-V curve is different from that observed in n-type multicrystalline silicon photovoltaic module by potential-induced degradation, which is due to decrease in the shunt resistance of the module (shunting type mechanism), as shown in other papers (1,4,12)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปลี่ยนแปลงในโค้ง-V แตกต่างจากที่สังเกตใน n-type ซิลิคอน multicrystalline อาทิตย์ โดยเหนี่ยวนำให้เกิดศักยภาพการลด ซึ่งจะครบกำหนดลงในการต่อต้านการแบ่งโมดูล (กลไกชนิด shunting), ดังที่แสดงในเอกสารอื่น ๆ (1,4,12)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลงในกราฟ IV จะแตกต่างจากที่พบใน N-โมดูลชนิดซิลิกอนโซลาร์เซลล์ multicrystalline โดยศักยภาพเหนี่ยวนำให้เกิดการย่อยสลายซึ่งเกิดจากการลดลงของความต้านทาน shunt ของโมดูล (แบ่งกลไกประเภท) ตามที่ปรากฏในเอกสารอื่น ๆ (1 , 4,12)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเปลี่ยนแปลงทางไฟฟ้าโค้งจะแตกต่างจากที่พบในซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ multicrystalline ทั่วไปโมดูล โดยอาจเกิดการย่อยสลาย ซึ่งเกิดจากการลดความต้านทานในหลอดเลือดของโมดูล ( แบ่งกลไกชนิด ) ตามที่แสดงในเอกสารอื่น ๆ ( 1,4,12 )