Importance of Gate Resistance: To g

Importance of Gate Resistance: To get rid of the above issue it is recommended to use low value resistor in series with the logic input and the mosfet gate. With relatively lower frequencies(50 Hz to 1kHz), the value could be anywhere between 100 and 470 ohms, while for frequencies above this the value could be within 100 ohms, for much higher frequencies (10kHz and above) this must not exceed 50 ohms.

The above consideration allows exponential charging or gradual charging of the internal capacitors reducing or blunting of the chances of negative spikes across the drain/gate pins.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความสำคัญของประตูความต้านทาน: การกำจัดปัญหาดังกล่าวข้างต้นควรจะใช้ตัวต้านทานค่าต่ำในชุด มีลอจิกที่อินพุตและประตู mosfet มีความถี่ค่อนข้างต่ำ (50 Hz ถึง 1kHz), ค่าสามารถที่ใดก็ได้ระหว่าง 100 และ 470 โอห์ม ในขณะที่สำหรับความถี่นี้ ค่าอาจจะภายใน 100 โอห์ม สำหรับความถี่สูงมาก (10kHz ขึ้นไป) นี้ต้องไม่เกิน 50 โอห์มการพิจารณาข้างต้นให้ชาร์จเนนหรือค่อย ๆ ชาร์จตัวเก็บประจุภายในลด หรือ blunting โอกาสของแหลมลบข้ามหมุดเขตประตูระบายน้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความสำคัญของประตูต้านทาน: เพื่อกำจัดปัญหาดังกล่าวก็จะแนะนำให้ใช้ค่าความต้านทานต่ำในชุดที่มีการป้อนข้อมูลตรรกะและประตูเมืองมอสเฟต ที่มีความถี่ค่อนข้างต่ำ (50 Hz ถึง 1kHz) ค่าอาจจะเป็นที่ใดก็ได้ระหว่าง 100 และ 470 โอห์มในขณะที่สำหรับความถี่ดังกล่าวข้างต้นนี้ค่าอาจจะเป็นภายใน 100 โอห์มความถี่สูงมาก (10kHz ขึ้นไป) นี้จะต้องไม่เกิน 50 โอห์ม .

การพิจารณาดังกล่าวข้างต้นจะช่วยให้การชาร์จชาร์จชี้แจงหรือค่อยเป็นค่อยไปของตัวเก็บประจุภายในลดหรือลดทอนโอกาสแหลมเชิงลบในท่อระบายน้ำ / หมุดประตู

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความสำคัญของประตูต้านทานเพื่อกำจัดปัญหาดังกล่าวก็จะแนะนำให้ใช้ตัวต้านทานค่าต่ำในชุดกับลอจิกอินพุทและประตู MOSFET . กับค่อนข้างต่ำความถี่ ( 50 Hz เพื่อ 1khz ) , ค่าอาจจะที่ใดก็ได้ระหว่าง 100 และ 470 โอห์ม ในขณะที่ความถี่ข้างต้นนี้ค่า อาจจะภายใน 100 โอห์ม ที่ความถี่สูงมาก ( 10KHz และเหนือ ) นี้จะต้องไม่เกิน 50 โอห์มการพิจารณาข้างต้นช่วยให้ชี้แจงการเรียกเก็บเงินหรือชาร์จทีละส่วนภายในตัวเก็บประจุลดหรือกระทือของโอกาสลบแทบทั่วระบาย / ประตู หมุด