[49] reported that in a wet-based t

[49] reported that in a wet-based thin film deposition process, the precursor concentration and the effective surface coverage greatly influence the preferred orientation of the film due to the inter-precursor and precursor-substrate interactions. The peak intensities decrease with the increase in the gas ow rate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

[49] รายงานว่า กระบวนการสะสมตามเปียก film บาง ความเข้มข้นของสารตั้งต้น และมีผลผิวความครอบคลุมมาก influence วาง film เนื่องจากการโต้ตอบระหว่างสารตั้งต้นและสารตั้งต้นพื้นผิวที่ต้องการ ปลดปล่อยก๊าซสูงสุดลดลง ด้วยการเพิ่มขึ้นของก๊าซอ่าว อัตรา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

[49] รายงานว่าในไฟเปียกตามบางกระบวนการสะสม lm ความเข้มข้นของสารตั้งต้นและคุ้มครองพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพอย่างมากในการอิทธิพลทิศทางที่ต้องการของ LM Fi เนื่องจากสารตั้งต้นระหว่างผู้นำและการมีปฏิสัมพันธ์-พื้นผิว ความเข้มสูงสุดลดลงตามการเพิ่มขึ้นของก๊าซอัตราโอ๊ย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

[ 49 ] รายงานว่าในบางจึงเปียกตามกระบวนการสะสม LM , สารตั้งต้นความเข้มข้นและความคุ้มครองพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพอย่างมากในfl uence ทิศทางที่ต้องการจึง LM เนื่องจากระหว่างสารตั้งต้น ( precursor ) และการมีปฏิสัมพันธ์ ยอดความเข้มลดลงด้วย โอ๊ย ก๊าซเพิ่มขึ้นในอัตรา