IntroductionAluminum nitride nanotu

IntroductionAluminum nitride nanotube (AlNNT) which is an analog to boronnanotube (BNNT), was discovered to be a semiconductor withmany similar properties to BNNT, such as having a wide band gap(>2 eV), high thermal stability and conductivity and high mechan-ical strength

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ค้นพบเพื่อให้คุณสมบัติคล้าย withmany สารกึ่งตัวนำเพื่อ BNNT เช่นมีวงกว้าง IntroductionAluminum nitride ทิวบ์ (AlNNT) ซึ่งเป็นอะนาล็อกเป็นการ boronnanotube (BNNT), gap(>2 eV) ความมั่นคงที่ความร้อนสูง และนำ ความแข็งสูง mechan ical

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

IntroductionAluminum นาโนไนไตรด์ (AlNNT​​) ซึ่งเป็นอนาล็อกเพื่อ boronnanotube (BNNT) ถูกค้นพบจะเป็นเซมิคอนดักเตอร์ withmany คุณสมบัติคล้ายกับ BNNT เช่นมีช่องว่างวงกว้าง (> 2 eV) เสถียรภาพทางความร้อนสูงและการนำและแรงเชิงกลสูง ความแข็งแรง iCal

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

introductionaluminum ไนไตรด์ท่อนาโน ( alnnt ) ซึ่งเป็นอนาล็อกไป boronnanotube ( bnnt ) ถูกค้นพบเป็น withmany สารกึ่งตัวนำคุณสมบัติใกล้เคียงกับ bnnt เช่นมีช่องว่างแถบกว้าง ( > 2 EV ) , เสถียรภาพทางความร้อนสูงและความแกร่งสูง โดยมีชั้น