Then the oxygen adsorption occurs o

Then the oxygen adsorption occurs on semiconductor surfaces and around interfacial region. The energy band bending are subsequently formed and this increases the potential barrier height at the n-n interface

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จากนั้นดูดซับออกซิเจนเกิดขึ้นบนพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์และทั่วภูมิภาค interfacial วงดนตรีพลังงานดัดจะเกิดขึ้นในไม่ช้านี้และเพิ่มความสูงของอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นในอินเตอร์เฟซ NN

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แล้วดูดซึมออกซิเจนเกิดขึ้นบนพื้นผิวสารกึ่งตัวนำและระหว่างภูมิภาค พลังงานวงโค้งต่อมาก่อตั้งและนี้เพิ่มความสูงเป็นอุปสรรคที่มีศักยภาพใน n-n อินเตอร์เฟซ