deposit an i a-Si layer on the sili

deposit an i a-Si layer on the silicon surface, which is referred from
the passivation technology in solar cells [24–27]. Comparisons have
been carried out for the passivation effects between the samples
passivated by these two methods and the ones without passivation
(H-terminated). For the samples passivated by these two methods,
a silica or i a-Si insert layer was introduced between the silicon and
the PEDOT:PSS, respectively. This intercalation acts as a barrier, so
its thickness has great influence on the internal electric field thus
exerting influence on carrier separation according to the quantum
tunneling theory. Therefore, it is of great necessity to control the
thickness of the silica or i a-Si intercalation. After a great deal of
tests (given in the supporting information), we find that the optimal
process for the native oxidation method is to treat the silicon
wafer for 12 hat room temperature in air condition; and the optimal
process for the i a-Si passivation method is to deposit the intrinsic
amorphous silicon at 250 ◦C for 20 s. What’s shown in Fig. 2 are the
TEM images of the silicon surface passivated by an i a-si layer and
silica layer, corresponding to the optimized process. It can be found
that the passivation layers had apparent boundaries with the c-Si
substrate. The thickness of the optimal i a-si layer is about 2 nm,
while that of the silica layer is about 1.5 nm.
To characterize the passivation effects, we measured the minority
carrier lifetimes of the silicon wafers treated by above two
technologies, as shown in Fig. 3. From which we can see that the
i a-Si passivation is the best method. The minority carrier lifetime
of the silicon wafer passivated by an i a-Si, about 41.35 s,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นที่สี่ฝาก i บนพื้นผิวซิลิโคน ซึ่งอ้างอิงจากเทคโนโลยีฟิล์มในเซลล์แสงอาทิตย์ [24-27] มีการเปรียบเทียบดำเนินการผลกระทบฟิล์มระหว่างตัวอย่างpassivated โดยสองวิธีและไม่ มีฟิล์ม(H-เลิก) ตัวอย่าง passivated โดยสองวิธีมีซิลิกาหรือแทรกมีศรีชั้นแนะนำระหว่างซิลิโคน และPEDOT:PSS ตามลำดับ Intercalation นี้ทำหน้าที่เป็นอุปสรรค ดังนั้นความหนาของมีอิทธิพลสนามไฟฟ้าภายในที่ดีดังนั้นผู้ให้บริการแยกตามควอนตัมอิทธิพลต่อชั้นทฤษฎีการทันเนล ดังนั้น จึงจำเป็นมากในการควบคุมการความหนาของซิลิกาหรือ intercalation มีศรี หลังจากการทดสอบ (ให้ข้อมูลสนับสนุน), เราหาที่ที่เหมาะสมกระบวนการสำหรับวิธีการออกซิเดชันดั้งเดิมคือการ รักษาซิลิโคนเวเฟอร์สำหรับหมวก 12 อุณหภูมิสภาพอากาศ และที่เหมาะสมกระบวนการสำหรับ i วิธีการทู่เป็นศรีคือ เงินฝากแท้จริงซิลิโคนไปที่ 250 ◦C สำหรับ 20 s สิ่งที่จะแสดงในรูปที่ 2 มีการภาพพื้นผิวซิลิโคน passivated โดย i TEM เป็นสี่ชั้น และเลเยอร์ซิลิก้า ที่สอดคล้องกับกระบวนการปรับให้เหมาะสม พบว่า ชั้นฟิล์มที่มีขอบเขตชัดเจน ด้วย c-ซีพื้นผิว ความหนาของที่เหมาะสมผมชั้นที่สี่คือ ประมาณ 2 nmในขณะที่ของซิลิกาชั้นเป็น 1.5 nmการอธิบายลักษณะผลทู่ เราวัดส่วนน้อยอายุการใช้งานผู้ให้บริการของซิลิคอนเวเฟอร์โดยปฏิบัติข้างต้นสองเทคโนโลยี ดังที่แสดงในรูปที่ 3 ซึ่งเราจะเห็นว่าการผมทู่เป็นศรีเป็นวิธีดีที่สุด อายุการใช้งานผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยของแผ่นซิลิคอน passivated โดย i เป็นจู เกี่ยวกับ 41.35 s

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฝากฉันศรีชั้นบนพื้นผิวซิลิกอนซึ่งจะเรียกจาก
เทคโนโลยีฟิล์มในเซลล์แสงอาทิตย์ [24-27] เปรียบเทียบได้
รับการดำเนินการสำหรับผลกระทบทู่ระหว่างกลุ่มตัวอย่าง
passivated โดยทั้งสองวิธีการและคนที่ไม่มีทู่
(H-ยกเลิก) สำหรับตัวอย่าง passivated โดยทั้งสองวิธี
ซิลิกาหรือฉันที่ศรีแทรกชั้นได้รับการแนะนำระหว่างซิลิคอนและ
PEDOT นี้: PSS ตามลำดับ เสพติดนี้จะทำหน้าที่เป็นกำแพงกั้นเพื่อ
ความหนาที่มีอิทธิพลมากในสนามไฟฟ้าภายในจึง
พยายามมีอิทธิพลต่อผู้ให้บริการแยกตามควอนตัม
ทฤษฎีการขุดเจาะอุโมงค์ ดังนั้นจึงเป็นความจำเป็นที่ดีในการควบคุม
ความหนาของซิลิกาหรือฉันที่ศรีเสพ หลังจากที่มีการจัดการที่ดีของ
การทดสอบ (ในข้อมูลประกอบ) เราพบว่าสินค้าที่ดีที่สุด
กระบวนการวิธีการออกซิเดชั่พื้นเมืองคือการรักษาซิลิคอน
เวเฟอร์สำหรับอุณหภูมิห้อง 12 หมวกในสภาพอากาศ และที่ดีที่สุด
กระบวนการวิธีทู่ฉันศรีคือการฝากเงินที่แท้จริง
ซิลิคอนอสัณฐานที่ 250 ◦C 20 s สิ่งที่แสดงในรูป 2 เป็น
ภาพ TEM ของพื้นผิวซิลิคอน passivated จากชั้นผมที่ศรีและ
ซิลิกาชั้นที่สอดคล้องกับกระบวนการที่ดีที่สุด มันสามารถพบได้
ที่ชั้นทู่มีขอบเขตชัดเจนกับ C-Si
สารตั้งต้น ความหนาของที่ดีที่สุดที่ฉัน A-si ชั้นประมาณ 2 นาโนเมตร
ในขณะที่ชั้นซิลิกาประมาณ 1.5 นาโนเมตร.
ลักษณะผลกระทบทู่ที่เราวัดน้อย
อายุการใช้งานของผู้ให้บริการของซิลิคอนเวเฟอร์ได้รับการรักษาโดยการข้างต้นทั้งสอง
เทคโนโลยีที่แสดง ในรูป 3. จากการที่เราจะเห็นว่า
ฟิล์มฉันศรีเป็นวิธีที่ดีที่สุด อายุการใช้งานของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อย
ของเวเฟอร์ซิลิคอน passivated โดยผมที่ศรีประมาณ 41.35 วินาที,

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฝากผมชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอนบนพื้นผิวซิลิกอนที่อ้างอิงจาการเทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ [ 24 – 27 ] การเปรียบเทียบได้ถูกนำออกจาการผลระหว่างตัวอย่างแข็งแรงด้วยวิธีเหล่านี้สอง และคนที่ไม่มีรุ้ง( h-terminated ) สำหรับตัวอย่างประกอบด้วยวิธีการเหล่านี้สองซิลิกาหรือชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอนแทรกชั้นได้รู้จักระหว่างซิลิคอนการ pedot : แฮ่ ตามลำดับ นี้ intercalation ทำหน้าที่เป็นอุปสรรค ดังนั้นความหนาของมันมีอิทธิพลอย่างมากต่อสนามไฟฟ้าภายในจึงพยายามใช้อิทธิพลในการแยกส่งตามไปทางควอนตัมทฤษฎีการก่อสร้างอุโมงค์ ดังนั้น จึงมีความจำเป็นที่จะต้องควบคุมมากความหนาของซิลิกาหรือชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอน intercalation . หลังจากที่การจัดการที่ดีของแบบทดสอบ ( ที่ระบุในข้อมูลสนับสนุน ) เราพบว่าเหมาะสมที่สุดกระบวนการวิธีออกซิเดชันตามธรรมชาติเพื่อรักษา ซิลิคอนเวเฟอร์ 12 หมวกห้องอุณหภูมิในเครื่องปรับอากาศ และเหมาะสมกระบวนการสำหรับผมอะมอร์ฟัสซิลิคอนใช้วิธีการฝากลายรุ้งซิลิคอนอสัณฐานที่ 250 ◦ C เป็นเวลา 20 วินาที แล้วแสดงในรูปที่ 2 เป็นภาพเต็มๆของซิลิกอนประกอบด้วยชั้นผิวและชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอนชั้นซิลิก้า ที่สอดคล้องกับการเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ มันสามารถพบารมีขอบเขตชัดเจนว่าชั้นกับ c-siพื้นผิว ความหนาของชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอนที่ชั้นประมาณ 2 นาโนเมตรในขณะที่ของซิลิกาเป็นชั้นประมาณ 1.5 nm .ลักษณะของรุ้ง ผลที่เราวัดส่วนน้อยผู้ให้บริการ lifetimes ของซิลิคอนเวเฟอร์ที่ได้รับข้างต้นสองเทคโนโลยี ดังแสดงในรูปที่ 3 ซึ่งเราจะเห็นได้ว่าผมอะมอร์ฟัสซิลิคอน Passivation เป็นวิธีที่ดีที่สุด พาหะส่วนน้อยตลอดชีวิตของซิลิคอนเวเฟอร์ประกอบด้วยชั้นอะมอร์ฟัสซิลิคอน , เกี่ยวกับ 41.35 S ,