Pronounced improvements in the unde

Pronounced improvements in the understanding of semiconductor device performance are expected if electrostatic potential distributions can be measured quantitatively and reliably under working conditions with sufficient sensitivity and spatial resolution. Here, we employ off-axis electron holography to characterize an electrically-biased Si p–n junction by measuring its electrostatic potential, electric field and charge density distributions under working conditions. A comparison between experimental electron holographic phase images and images obtained using three-dimensional electrostatic potential simulations highlights several remaining challenges to quantitative analysis. Our results illustrate how the determination of reliable potential distributions from phase images of electrically biased devices requires electrostatic fringing fields, surface charges, specimen preparation damage and the effects of limited spatial resolution to be taken into account.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปรับปรุงออกเสียงในความเข้าใจของประสิทธิภาพอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำคาดว่า หากสามารถวัดการกระจายการเกิดไฟฟ้าสถิต quantitatively ได้ และภาย ใต้สภาพการทำงาน มีความไวเพียงพอและความละเอียดของปริภูมิ ที่นี่ เราใช้อิเล็กตรอนออกจากแกนฮอโลกราฟีเพื่อกำหนดลักษณะการเชื่อมต่อภาพไฟฟ้าศรี p – n โดยการวัดการกระจายที่ศักยภาพ สนามไฟฟ้า และค่าความหนาแน่นของงานภายใต้สภาพการทำงาน การเปรียบเทียบระหว่างอิเล็กตรอนทดลองระยะที่เป็นรูปภาพได้โดยใช้สถานการณ์จำลองเป็นงานสามมิติเน้นความท้าทายเหลือหลายการวิเคราะห์เชิงปริมาณ ผลของเราแสดงว่าเรื่องของความน่าเชื่อถือเป็นการกระจายจากระยะภาพอุปกรณ์ไฟฟ้า biased ต้องเขตแนวสถิต ค่าธรรมเนียมผิว ความเสียหายเตรียมตัวอย่าง และผลของการแก้ปัญหาพื้นที่จำกัดเพื่อนำมาพิจารณา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เด่นชัดในการปรับปรุงความเข้าใจในประสิทธิภาพของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่คาดว่าหากการกระจายที่มีศักยภาพไฟฟ้าสถิตสามารถวัดปริมาณและเชื่อถือได้ภายใต้สภาพการทำงานที่มีความไวเพียงพอและความละเอียดเชิงพื้นที่ ที่นี่เราจ้างอิเล็กตรอนออกจากแกนภาพสามมิติที่จะอธิบายลักษณะไฟฟ้าลำเอียงศรีชุม P-n โดยการวัดศักยภาพของไฟฟ้​​าสถิตสนามไฟฟ้าและการกระจายความหนาแน่นของค่าใช้จ่ายภายใต้สภาพการทำงาน การเปรียบเทียบระหว่างภาพโฮโลแกรมเฟสอิเล็กตรอนทดลองและภาพที่ได้รับการใช้ไฮไลท์สามมิติแบบจำลองที่มีศักยภาพไฟฟ้าสถิตหลายความท้าทายที่เหลือให้การวิเคราะห์เชิงปริมาณ ผลของเราแสดงให้เห็นว่าการตัดสินใจของการกระจายที่มีศักยภาพที่เชื่อถือได้จากภาพที่เฟสของอุปกรณ์ไฟฟ้าลำเอียงต้องสาขาแนวไฟฟ้าสถิตค่าพื้นผิวเสียหายเตรียมชิ้นงานและผลกระทบของความละเอียดเชิงพื้นที่ จำกัด ที่จะนำมาพิจารณา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ออกเสียงในการปรับปรุงความเข้าใจของประสิทธิภาพของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์คาดว่าถ้าการกระจายศักยภาพที่สามารถวัดได้ในเชิงปริมาณ และเชื่อถือได้ภายใต้สภาวะการทำงานที่มีความไวเพียงพอและความละเอียดเชิงพื้นที่ ที่นี่ เราจ้างนอกแกนอิเล็กตรอนฮอโลกราฟีลักษณะลำเอียงไฟฟ้าศรี p – N ชุมทางโดยการวัดศักยภาพของไฟฟ้าสถิตสนามไฟฟ้าและค่าความหนาแน่นของการกระจายภายใต้เงื่อนไขของการทำงาน การเปรียบเทียบระหว่างการทดลองระยะที่ภาพโฮโลแกรมอิเล็กตรอนและภาพสามมิติได้โดยใช้ไฟฟ้าสถิตศักยภาพการจำลองไฮไลท์หลายเหลือความท้าทายเพื่อการวิเคราะห์เชิงปริมาณผลของเราแสดงให้เห็นว่าการกระจายศักยภาพที่เชื่อถือได้จากระยะภาพไฟฟ้าอุปกรณ์ต้องใช้ไฟฟ้าสถิต fringing ลำเอียง ด้าน ค่าความเสียหายและเตรียมผิวชิ้นงานความละเอียดเชิงพื้นที่ที่มีจำกัดเพื่อเข้าบัญชี