As indicated below in Table 1, the

As indicated below in Table 1, the S value that indicates the sub-threshold characteristics is unique in that only the S value of complete depletion type SOI transistors is the low value of 60 - 70 mV/dec. (The S value is the gate voltage at the sub-threshold area that changes the drain current by one digit with the drain voltage held constant.) Also, as illustrated in Figure 1, the source, drain, substrate, and the PN junction formed between wells in bulk transistors do not exist as complete depletion type transistors. Also, the junction capacity is very small. Since a PN junction exists at the bottom of the body in partial depletion type transistors, it is located exactly between them. The advantages of the S value, reduced junction capacitance, and the totally isolated structure are as follows.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามที่ระบุด้านล่างนี้ในตารางที่ 1 ค่า S ที่บ่งชี้ลักษณะขีดจำกัดย่อยเป็นเฉพาะที่เฉพาะค่า S ของการลดลงของเสร็จสมบูรณ์ชนิดซอย transistors เป็นค่าต่ำสุดของ 60-70 mV/ธ.ค. (ค่า S คือ แรงดันประตูที่ตั้งขีดจำกัดย่อยที่เปลี่ยนท่อระบายน้ำปัจจุบัน โดยหลักที่หนึ่ง มีแรงดันท่อระบายน้ำที่จัดขึ้นอย่างต่อเนื่อง) ยัง ดังที่แสดงในรูปที่ 1 ต้น ท่อระบายน้ำ พื้นผิว และเชื่อมต่อ PN ที่เกิดขึ้นระหว่างบ่อใน transistors จำนวนมากไม่มีเป็น transistors ชนิดจนหมดเสร็จสมบูรณ์ ยัง เชื่อมต่อกำลังการผลิตมีขนาดเล็กมาก เนื่องจากการเชื่อมต่อพีเอ็นอยู่ที่ด้านล่างของร่างกายในการลดลงของบางส่วนชนิด transistors อยู่ตรงระหว่างนั้น ข้อดีของค่า S ชุมทางลดความ และโครงสร้างทั้งหมดแยกเป็นดังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตามที่ระบุไว้ด้านล่างในตารางที่ 1 มูลค่า S ที่บ่งชี้ว่าลักษณะย่อยเกณฑ์ที่ไม่ซ้ำกันในการที่เฉพาะค่า S ชนิดพร่องสมบูรณ์ทรานซิสเตอร์ซอยเป็นค่าที่ต่ำของ 60-70 mV / ธันวาคม (ค่า S เป็นแรงดันประตูที่บริเวณย่อยเกณฑ์ที่มีการเปลี่ยนแปลงการระบายน้ำในปัจจุบันโดยหนึ่งหลักกับแรงดันท่อระบายน้ำที่จัดขึ้นอย่างต่อเนื่อง.) นอกจากนี้ตามที่แสดงในรูปที่ 1 แหล่งที่มาท่อระบายน้ำ, พื้นผิวและทางแยก PN เกิดขึ้น ระหว่างหลุมในทรานซิสเตอร์จำนวนมากไม่ได้อยู่เป็นทรานซิสเตอร์ชนิดพร่องสมบูรณ์ นอกจากนี้กำลังการผลิตทางแยกมีขนาดเล็กมาก ตั้งแต่ทางแยก PN อยู่ที่ด้านล่างของร่างกายในทรานซิสเตอร์ชนิดพร่องบางส่วนก็ตั้งอยู่ตรงระหว่างพวกเขา ข้อได้เปรียบของค่า S, ความจุชุมทางลดลงและโครงสร้างที่แยกกันโดยสิ้นเชิงมีดังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามที่ระบุไว้ด้านล่าง ตารางที่ 1 เป็นค่าบ่งชี้ย่อยเกณฑ์คุณลักษณะเฉพาะในที่เฉพาะของมูลค่าที่สมบูรณ์ของชนิดซอยทรานซิสเตอร์เป็นค่าต่ำ 60 - 70 MV / ธันวาคม ( ค่าของแรงดัน คือ ประตูที่ย่อยของพื้นที่ที่มีการเปลี่ยนแปลงการระบายปัจจุบันหนึ่งหลักกับ ระบายแรงดันที่จัดขึ้นอย่างต่อเนื่อง นอกจากนี้ ตามที่แสดงในรูปที่ 1 , แหล่งท่อระบายน้ำ , พื้นผิว , และ PN Junction เกิดขึ้นระหว่างเวลส์เป็นกลุ่มทรานซิสเตอร์ไม่มีอยู่เป็นสมบูรณ์ทรานซิสเตอร์ชนิดพร่อง . นอกจากนี้ แยกความจุเล็กมาก ตั้งแต่ PN Junction อยู่ที่ด้านล่างของร่างกายในบางส่วนของประเภทของทรานซิสเตอร์ มันจะอยู่ตรงระหว่างพวกเขา ประโยชน์ของค่าของชุมทางความจุลดลง ,และแยกโครงสร้างทั้งหมดมีดังนี้