In summary, n-type bismuth tellurid

In summary, n-type bismuth telluride thin films with various layered nanostructures were fabricated by RF magnetron sputtering. The crystal growth rate plays an important role in the controlling the morphologies of the films. Thin films with oriented layered structure, nanoparticles, thicker layers and columnar structure were successfully prepared due to the competition between the crystal growth in the planar direction and the nucleation in radial direction. The films with such special structure also exhibit attractive thermoelectric properties. Optimal TE properties were obtained in the film with oriented layered structure with Seebeck coefficient S ∼ −70 μV/K at room temperature, −85 μV/K at 450 K, and power factor 8.8 μW/cm K2 at room temperature, 11.4 μW/cm K2 at 450 K, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในสรุป n ชนิด bismuth telluride ฟิล์มบาง ๆ กับ nanostructures ชั้นต่าง ๆ ได้หลังสร้าง โดย RF magnetron พ่น อัตราการเติบโตของผลึกมีบทบาทสำคัญในการควบคุม morphologies ของภาพยนตร์ ฟิล์มบาง มีโครงสร้างชั้นวาง เก็บกัก ชั้นหนา และโครงสร้างการเรียงเป็นแนวตั้งได้เรียบร้อยเตรียมไว้เนื่องจากการแข่งขันระหว่างการเจริญเติบโตของผลึกในทิศทางระนาบและ nucleation ในทิศทางรัศมี ฟิล์ม ด้วยโครงสร้างพิเศษดังกล่าวยังแสดงคุณสมบัติน่าสนใจแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ คุณสมบัติ TE เหมาะสมได้รับในภาพยนตร์เรื่องนี้มีโครงสร้างชั้นวาง Seebeck สัมประสิทธิ์ S ∼ −70 μV/K ที่อุณหภูมิห้อง μV −85/K ที่ 450 K และตัวประกอบกำลังไฟฟ้า 8.8 μW/cm K2 ที่ห้องอุณหภูมิ 11.4 K2 μW/cm ที่ 450 K ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยสรุปบิสมัท n ชนิดฟิล์มบางที่มีโครงสร้างนาโนลลูไรด์ชั้นต่าง ๆ ประดิษฐ์โดยสปัตเตอร์ RF magnetron อัตราการเติบโตของคริสตัลที่มีบทบาทสำคัญในการควบคุมรูปร่างลักษณะของภาพยนตร์ ฟิล์มบางที่มีโครงสร้างชั้นเชิงอนุภาคนาโนชั้นหนาและโครงสร้างเสาได้จัดทำประสบความสำเร็จเนื่องจากการแข่งขันระหว่างคริสตัลเติบโตในทิศทางระนาบและนิวเคลียสในทิศทางรัศมี ภาพยนตร์ที่มีโครงสร้างพิเศษเช่นนี้ยังแสดงคุณสมบัติเทอร์โมที่น่าสนใจ คุณสมบัติที่เหมาะสม TE ที่ได้รับในภาพยนตร์เรื่องนี้ที่มีโครงสร้างชั้นที่มุ่งเน้นการมีค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck S ~ -70 μV / K ที่อุณหภูมิห้อง -85 μV / K 450 K และปัจจัยอำนาจ 8.8 μW / cm K2 ที่อุณหภูมิห้อง 11.4 μW / ซม K2 ที่ 450 K ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไปธาตุบิสมัทเทลลูไรด์ฟิล์มบางมีหลายชั้นนาโนถูกประดิษฐ์โดย RF แมกนีตรอนสปัตเตอริง . อัตราการเติบโตของผลึก มีบทบาทสำคัญในการควบคุมลักษณะของภาพยนตร์ ชั้นฟิล์มบางเชิงโครงสร้างระดับนาโนด้วย , ,ความหนาชั้นและมีโครงสร้างเรียบร้อยแล้วเตรียมเนื่องจากการแข่งขันระหว่างระนาบของผลึกในทิศทางและขนาดในทิศทางรัศมี ภาพยนตร์ ด้วยโครงสร้างพิเศษ เช่น เทอร์โม ยังแสดงคุณสมบัติที่น่าสนใจคุณสมบัติทีเหมาะสมได้รับในเชิงโครงสร้างที่มีชั้นฟิล์ม วัดค่า S ∼− 70 μ V / K ที่อุณหภูมิห้อง − 85 μ V / K 450 k และปัจจัยอำนาจ 8.8 μ W / cm K2 ที่อุณหภูมิห้อง 11.4 μ W / cm 2 450 K ตามลำดับ