channel, thereby enhancing the cond

channel, thereby enhancing the conductivity of the channel and, as a result, causing an increase the channel ID. This mode of operation of the depletion MosFET is referred to as the enhancement mode operation, whereas the normal mode of operation with negative VGs is called the depletion mode operation.

In conclusion, the amount of the drain current ID that can flow through the channel is controlled by the magnitude of the voltage VGs, which may be positive or negative. The drain and transfer characteristics of an n-channel depletion MOSFET, which are similar to the JFET characteristics, are shown in Figure 7-37 below



Since the gate in depletion MOSFET is insulated from the channel, the gate-to-source voltage VGs can also be positive, in which case more charge carriers are attracted to the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ช่อง จึงเพิ่มการนำไฟฟ้าของช่อง และ ดัง ก่อให้เกิดการเพิ่มรหัสช่องสัญญาณ โหมดของการดำเนินงานของการสูญเสีย MosFET นี้เรียกว่าการเพิ่มโหมดการดำเนินการ ในขณะที่โหมดปกติของการทำงานกับ VGs เป็นลบเรียกว่าการดำเนินงานโหมดสูญเสีย ในบทสรุป จำนวน ID ปัจจุบันท่อระบายน้ำที่สามารถไหลผ่านช่องทางถูกควบคุม โดยขนาดของแรงดัน VGs ซึ่งอาจเป็นบวก หรือลบ ท่อระบายน้ำและการถ่ายทอดลักษณะของการสูญเสีย n ช่อง MOSFET ซึ่งจะคล้ายกับลักษณะ JFET แสดงในรูป 7-37 ด้านล่าง ตั้งแต่ประตูในสูญเสีย MOSFET เป็นฉนวนจากช่อง ประตูแหล่งแรงดัน VGs ยังสามารถบวก ในกรณีเพิ่มเติมค่าธรรมเนียม สายการบินที่มีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ช่องจึงเพิ่มการนำของช่องและเป็นผลทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นของช่อง ID โหมดการทำงานของ MOSFET พร่องนี้จะเรียกว่าการทำงานในโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพในขณะที่โหมดปกติของการดำเนินงานที่มีเชิงลบ VGS เรียกว่าการทำงานในโหมดพร่อง.

สรุปปริมาณการระบาย ID ปัจจุบันที่สามารถไหลผ่านช่องทางคือ ควบคุมโดยขนาดของแรงดันไฟฟ้า VGS ซึ่งอาจจะเป็นบวกหรือลบ ท่อระบายน้ำและการถ่ายโอนลักษณะของการสูญเสีย MOSFET N-ช่องซึ่งมีความคล้ายคลึงกับลักษณะ JFET ที่จะแสดงในรูปที่ 7-37 ด้านล่าง



ตั้งแต่ประตูพร่อง MOSFET เป็นฉนวนจากช่องทางที่แรงดันไฟฟ้าประตูไปแหล่ง VGS สามารถ นอกจากนี้ยังเป็นบวกซึ่งในกรณีนี้ผู้ให้บริการมากขึ้นค่าใช้จ่ายจะถูกดึงดูดไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ช่อง จึงเพิ่มค่าการนำไฟฟ้าของช่อง และ ผล ก่อให้เกิดการเพิ่มช่อง ID นี้โหมดของการดำเนินงานของการพร่อง MOSFET จะเรียกว่าการเพิ่มประสิทธิภาพการดําเนินงานโหมดและโหมดปกติของการดำเนินการกับวีจีเลบเรียกว่าโหมดของการดำเนินการสรุป ปริมาณน้ำปัจจุบัน ID ที่สามารถไหลผ่านช่องทางที่ถูกควบคุมโดยขนาดของแรงดันไฟฟ้าวีจีเ ซึ่งอาจเป็นบวก หรือลบ ท่อระบาย และคุณลักษณะการถ่ายโอนของนแชนแนลของ MOSFET ซึ่งคล้ายคลึงกับ jfet ลักษณะ แสดงในรูปที่ 7-37 ด้านล่างตั้งแต่ประตูของมอสเฟตเป็นฉนวน จากช่องประตู แหล่งจ่ายแรงดันวีจีเยังเป็นบวก ซึ่งในกรณีที่ผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายมากขึ้นจะดึงดูดไป