In the Wheatstone bridge circuit sh

In the Wheatstone bridge circuit shown in Figure 1(b), the variation in the output voltage (ΔV) of
the pressure sensor was caused by a change in the resistances (R1, R2, R3, and R4) of the four
piezoresistors on the silicon membrane. As shown in Figure 1(a), the four piezoresistors were oriented
in the direction of the current flow. Because the resistance change ratio, ΔR/R, for piezoresistor R1 is
equivalent to that of R3 when pressure is applied to the silicon membrane, the resistance change ratio
of R2 is equivalent to that of R4. Using ΔR1/R1 = ΔR3/R3 and ΔR2/R2 = ΔR4/R4, the variation of the
output voltage induced by the silicon membrane deflection is given by:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในวงจรวีตสโตนบริดจ์แสดงในรูป 1(b) การเปลี่ยนแปลงแรงดันเอาต์พุ (ΔV) ของเซ็นเซอร์ความดันเกิดขึ้นจากการเปลี่ยนแปลงของความต้านทาน (R1, R2, R3 และ R4) ทั้ง 4piezoresistors บนเมมเบรนซิลิคอน ดังแสดงในรูป 1(a), piezoresistors สี่ถูกมุ่งเน้นในทิศทางของกระแสที่ไหลผ่าน เนื่องจากความต้านทานการเปลี่ยนแปลงอัตราส่วน ΔR/R สำหรับ piezoresistor R1 คือเทียบเท่ากับ R3 เมื่อแรงดันใช้กับเยื่อหุ้มซิลิโคน ความต้านทานการเปลี่ยนแปลงอัตราของ R2 จะเท่ากับของ R4 ใช้ ΔR1/R1 = ΔR3/R3 และ ΔR2/R2 = ΔR4/R4 การเปลี่ยนแปลงของการแรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนำ โดยโก่งเยื่อซิลิคอนที่ถูกกำหนดโดย:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในวงจรสะพาน Wheatstone แสดงในรูปที่ 1 (ข) การเปลี่ยนแปลงในแรงดันขาออก (ΔV) ของ
เซ็นเซอร์ความดันที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงในความต้านทาน (R1, R2, R3 และ R4) ของสี่
piezoresistors บน เมมเบรนซิลิกอน ดังแสดงในรูปที่ 1 (ก), สี่ piezoresistors เน้น
ในทิศทางของการไหลของกระแสไฟฟ้า เนื่องจากอัตราการเปลี่ยนแปลงความต้านทานΔR / R สำหรับ piezoresistor R1 เป็น
เทียบเท่ากับที่ของ R3 เมื่อความดันถูกนำไปใช้เมมเบรนซิลิคอนอัตราส่วนต้านทานการเปลี่ยนแปลง
ของ R2 จะเทียบเท่ากับที่ของ R4 การใช้ΔR1 / R1 = ΔR3 / R3 และΔR2 / R2 = ΔR4 / R4 การเปลี่ยนแปลงของ
แรงดันขาออกที่เกิดจากการโก่งเมมเบรนซิลิกอนจะได้รับโดย:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในวงจรวีทสโตนบริดจ์แสดงในรูปที่ 1 ( B ) , การเปลี่ยนแปลงแรงดัน ( Δ V ) ของเซ็นเซอร์ความดันที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงในความต้านทาน ( R1 , R2 , R3 และ R4 ) สี่piezoresistors บนซิลิกอนเมมเบรน ดังแสดงในรูปที่ 1 ( a ) , ( 4 piezoresistors มุ่งเน้นในทิศทางของการไหลของกระแส เพราะความต้านทานเปลี่ยนอัตราส่วน Δ r / R สำหรับ piezoresistor R1 คือเทียบเท่ากับที่ของ R3 เมื่อแรงดันที่ใช้กับซิลิกอนเมมเบรน ต้านทานการเปลี่ยนแปลงอัตราส่วนของอาร์ทูจะเทียบเท่ากับที่ของ R4 . การใช้Δ R1 / R1 = ΔΔ R2 และ R3 / R3 / R2 = Δ R4 / R4 , รูปแบบของแรงดันที่เกิดจากการโก่งตัวให้โดย : ซิลิกอนเมมเบรน