30 nm Pd0.92–Y0.08 thin films were

30 nm Pd0.92–Y0.08 thin films were deposited on fused quartz substrates by a BESTECH sputtering system, as shown in Fig. 1.The substrates were ethanol ultrasonically cleaned and pre-coatedwith 5 nm Ti to promote adhesion for the sensitive layer. Three-inch Pd and Y targets were installed to the DC and RF sources of the sputtering system, respectively. Under 0.5 Pa sputtering pres-sure of Ar, the deposition power was controlled to 100 W for Pd and 150 W for Y, which corresponded to the deposition rate of 1.3 and 0.2˚A/s, respectively. The sputtering time was approximately 200 s.Meanwhile, a silicon wafer was placed in the chamber for further characterizing of the deposited film. Half area of which was covered with adhesive tape.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

30 nm Pd0.92 – Y0.08 ฟิล์มบางได้ฝากไว้ในพื้นผิวของควอทซ์ครอบฟันด้วยทั่ว โดยระบบสปัตเตอร์ BESTECH ดังที่แสดงในรูป 1.พื้นผิวถูกล้าง ultrasonically เอทานอลและ pre-coatedwith 5 nm Ti เพื่อส่งเสริมการยึดเกาะสำหรับชั้นความลับ ขนาด 3 นิ้ว Pd และ Y เป้าหมายติดตั้งแหล่ง DC และ RF ของระบบสปัตเตอร์ ตามลำดับ ภายใต้ 0.5 Pa สปัตเตอร์สอบเค้นของ Ar ควบคุมพลังงานสะสม 100 วัตต์สำหรับ Pd และ 150 W Y ซึ่งผูกพันกับอัตราสะสม 1.3 และ 0.2˚A / s ตามลำดับ เวลาสปัตเตอร์ประมาณ 200 s.Meanwhile แผ่นซิลิคอนที่ถูกวางไว้ในห้องสำหรับรายละเอียดเพิ่มเติม ของฟิล์มฝาก ครึ่งหนึ่งพื้นที่ซึ่งถูกปกคลุม ด้วยเทปกาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

30 นาโนเมตรฟิล์มบาง Pd0.92-Y0.08 ถูกวางลงบนพื้นผิวผสมควอทซ์โดยระบบสปัตเตอร์ Bestech ดังแสดงในรูปที่ 1. ทำความสะอาดพื้นผิวเอทานอล ultrasonically และ pre-coatedwith 5 นาโนเมตร Ti เพื่อส่งเสริมการยึดเกาะสำหรับชั้นที่สำคัญ สามนิ้ว Pd และ y เป้าหมายได้ถูกติดตั้งกับช่องต่อ DC RF และแหล่งที่มาของระบบสปัตเตอร์ตามลำดับ อันเดอร์ 0.5 Pa สปัตเตอร์ pres-แน่ใจว่าเท่พลังงานสะสมถูกควบคุมถึง 100 วัตต์ Pd และ 150 W สำหรับ Y ซึ่งตรงกับอัตราการสะสมของ 1.3 และ0.2˚A / s ตามลำดับ เวลาสปัตเตอร์ประมาณ 200 s.Meanwhile, เวเฟอร์ซิลิคอนถูกวางไว้ในห้องสำหรับพัฒนาการต่อไปของภาพยนตร์ฝาก พื้นที่ครึ่งหนึ่งของที่ถูกปกคลุมด้วยเทปกาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

30 nm pd0.92 – y0.08 ฟิล์มบางบนพื้นผิวผลึกผสมฝากเงินโดย Bestech ระบบสปัตเตอร์ ดังแสดงในรูปที่ 1 . เมื่อมีเอทานอล ultrasonically ทำความสะอาดและก่อน coatedwith 5 nm Ti เพื่อส่งเสริมการยึดเกาะสำหรับชั้นข้อมูลที่ละเอียดอ่อน สามนิ้ว PD และ Y เป้าหมายติดตั้งกับ DC และ RF แหล่งระบบสปัตเตอริง ตามลำดับ ภายใต้ 0.5 PA Sputtering ปธน. แน่ใจของ AR , สะสมอำนาจควบคุม 100 W สำหรับ PD 150 W และ Y ซึ่งตรงกับอัตราการสะสม 1.3 และ 0.2 ˚ / s ตามลำดับ เวลาทำงานประมาณ 200 S . ในขณะเดียวกัน , ซิลิคอนเวเฟอร์อยู่ในห้องต่อไป ลักษณะของฝากภาพยนตร์ ครึ่งหนึ่งของพื้นที่ที่ถูกปกคลุมด้วยเทปกาว