the Si HIT cell using back contact

the Si HIT cell using back contact structure,the multi-junction cell containing Si back contact cell and the Si VMJ cell used with Ge and GaP VMJ cells were
considered to have good potential in low,middle, high and very high concentration photovoltaic

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้โครงสร้างที่ติดต่อกลับ เซลล์เชื่อมต่อหลายที่ประกอบด้วยเซลล์ติดต่อกลับศรีและเซลล์ VMJ ศรีใช้ Ge และ VMJ ช่วงเซลล์เซลล์ซีตีได้ถือว่ามีศักยภาพดีในสมาธิต่ำ กลาง สูง และสูงมากเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ศรี HIT เซลล์โดยใช้โครงสร้างการติดต่อกลับมาที่มือถือหลายทางแยกที่มีศรีกลับมาติดต่อและเซลล์เซลล์ศรี VMJ ใช้กับจีอีและช่องว่างเซลล์ VMJ ถูก
ถือว่ามีศักยภาพที่ดีในการที่ต่ำกลางไฟฟ้าโซลาร์เซลล์มีความเข้มข้นสูงและสูงมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ศรีชนเซลล์โดยใช้โครงสร้างติดต่อกลับ หลายจังหวัดกลับแยกเซลล์ที่ประกอบด้วยเซลล์ และเซลล์ติดต่อศรี vmj ใช้กับ GE และช่องว่าง vmj cells
ถือว่ามีศักยภาพที่ดีในระดับกลางสูงและสูงมากเข้มข้นไฟฟ้าโซลาร์เซลล์