Measurement of energy gap of a ther

Measurement of energy gap of a thermistor
Objectives:
1. To measure the temperature dependence of the resistance of a thermistor
2. To determine the energy gap in the semiconductor material
Introduction:
Absorption of energy by the semiconductor can boost electrons from the valence band to the conduction band. The amount of energy is at least as large as the energy gap (Eg). Ideally, the conduction band is completely emptyat T= 0 K. As the temperature is raised, some electrons get enough energy to "pop up" into the conduction band, in accordance with statistical physics. Therefore, higher energy states can be populated be electrons due to thermal excitation.
Electrical current is defined form the movement of electric charge. Thus, electrons in the conduction band are able to move from atom to atom, and so contribute to electric currents. An unoccupied state in the valence band is called a hole; electrons in the valence band can contribute to electric currents by moving to fill the hole states. When this happens it is easy to visualize a hole moving opposite the direction an electron moves in the valence band, and so this is referred to as hole conduction
For a particular material, the higher the temperature, the more charges (electrons in the conduction band and holes in the valence band) are available to move through the solid.The relationship between the resistance R (which is proportional to resistivity) of the material can be written as a function of temperature

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวัดช่องว่างพลังงานของเทอร์มิสเตอร์
วัตถุประสงค์:
1 การวัดขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของความต้านทาน
2 การตรวจสอบช่องว่างพลังงานในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์
บทนำ:
การดูดซึมของพลังงานจากสารกึ่งตัวนำสามารถเพิ่มอิเล็กตรอนจากวงดนตรีจุวงการนำ ปริมาณของพลังงานเป็นอย่างน้อยมีขนาดใหญ่เป็นช่องว่างพลังงาน (เช่น) จะเป็นการดีที่วงการนำสมบูรณ์ emptyat T = 0 เคเมื่ออุณหภูมิจะเพิ่มขึ้นอิเล็กตรอนบางส่วนได้รับพลังงานมากพอที่จะ "ป๊อปอัพ" ในวงการนำสอดคล้องกับสถิติฟิสิกส์ ดังนั้นพลังงานที่สูงขึ้นรัฐสามารถมีประชากร พ.ศ. อิเล็กตรอนเนื่องจากการกระตุ้นความร้อน.
กระแสไฟฟ้าจะมีการกำหนดรูปแบบการเคลื่อนไหวของค่าใช้จ่ายไฟฟ้า ดังนั้นอิเล็กตรอนในวงการนำสามารถที่จะย้ายจากอะตอมอะตอมและเพื่อนำไปสู่กระแสไฟฟ้า รัฐว่างในวงดนตรีจุที่เรียกว่าหลุม; อิเล็กตรอนในวงจุสามารถนำไปสู่กระแสไฟฟ้าโดยการย้ายเพื่อเติมเต็มหลุมรัฐ เมื่อเกิดเหตุการณ์นี้มันเป็นเรื่องง่ายที่จะเห็นภาพหลุมย้ายตรงข้ามทิศทางการเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนในวงดนตรีจุและอื่น ๆ นี้จะเรียกว่าเป็นการนำหลุม
สำหรับวัสดุโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่สูงกว่าอุณหภูมิค่าใช้จ่ายเพิ่มเติม (อิเล็กตรอนในวงการนำ และหลุมในวงดนตรีจุ) พร้อมที่จะย้ายผ่านความสัมพันธ์ระหว่าง solid.The ต้านทาน R (ซึ่งเป็นสัดส่วนกับความต้านทาน) ของวัสดุที่สามารถเขียนเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การวัดช่องว่างพลังงานของ thermistor
u
1 วัดขึ้นกับอุณหภูมิความต้านทานของ thermistor
2 เพื่อหาช่องว่างพลังงานในสารกึ่งตัวนำวัสดุเบื้องต้น :

การดูดซึมพลังงานจากสารกึ่งตัวนำสามารถเพิ่มเวเลนซ์อิเล็กตรอนจากวงดนตรีที่จะนำวงดนตรี . ปริมาณของพลังงานที่เป็นน้อยขนาดใหญ่เป็นช่องว่างพลังงาน ( เช่น ) ใจกลางโดยนำวงดนตรีที่สมบูรณ์ emptyat T = 0 K เป็นอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้น มีอิเล็กตรอนได้รับพลังงานเพียงพอที่จะ " ป๊อปอัพ " เป็นนำวงดนตรีตามฟิสิกส์เชิงสถิติ ดังนั้น รัฐพลังงานสูงสามารถมีประชากรเป็นอิเล็กตรอนเนื่องจากความร้อนกระตุ้น .
กระแสไฟฟ้ากำหนดรูปแบบการเคลื่อนที่ของประจุไฟฟ้า ดังนั้นอิเล็กตรอนในนำวงดนตรีจะสามารถย้ายจากอะตอมกับอะตอม และเพื่อสนับสนุนกระแสไฟฟ้า สถานะว่างใน 2 วงเรียกว่าหลุม ; อิเล็กตรอนในวาเลนซ์แบนด์สามารถสนับสนุนกระแสไฟฟ้าโดยการย้ายเพื่อเติมหลุมที่สหรัฐอเมริกา เมื่อเกิดเหตุการณ์นี้มันง่ายที่จะเห็นหลุมเคลื่อนที่ตรงข้ามกับทิศทางการเคลื่อนไหวในเวเลนซ์อิเล็กตรอนวงและดังนั้นนี้จะเรียกว่าหลุมนำ
สำหรับวัสดุเฉพาะ สูงกว่าอุณหภูมิ , ค่าใช้จ่ายเพิ่มเติม ( อิเล็กตรอนในนำวงดนตรีและหลุมในวาเลนซ์แบนด์ ) สามารถที่จะย้ายผ่านของแข็ง ความสัมพันธ์ระหว่างความต้านทาน R ( ซึ่งเป็นสัดส่วนกับค่าความต้านทานของวัสดุที่สามารถเขียนเป็น เป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิ