The integration of semiconductor an

The integration of semiconductor and metal structures into
optical fibers has created a paradigm shift in the development of
the next generation of optoelectronics [1]. The promise of all-fiber
optoelectronics has resulted in the pursuit of improved fabrication
techniques and material properties [2]. High pressure chemical
vapor deposition was successfully demonstrated as a technique
to incorporate semiconductor materials into the hole of photonic
crystal fibers [3–5]. Semiconductor materials have also been
fabricated via traditional optical fiber drawing and modified
melt-draw processes [6–8]. These techniques can produce relatively
long lengths of fiber and are an attractive option for the
inevitable transition to the manufacturing environment [9–11].
The integration of optical fibers and devices finds it origins in
the pioneering research by Payne, et al., at Southampton University
that ultimately resulted in the original fiber lasers and
amplifiers [12,13]. Inspired by this work, the first semiconductor
material, silicon, was successfully incorporated into a random hole
fiber by Pickrell, et al. Subsequently, significant progress has been
made in the fabrication and understanding of these types of fibers
[14,15]. Researchers have fabricated basic devices, such as p
i
n
junctions, germanium resistors, and optical switches in fibers
[16–20]. The ability to generate, transmit, modulate and detect
light within the fiber will inherently simplify and improve the
performance of all fiber optic technologies. Unfortunately, performance
metrics such as resolution and stability are limited by these
post-processing techniques. Incorporation of the magnetostrictive

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รวมของโครงสร้างโลหะและสารกึ่งตัวนำเข้าเส้นใยแสงได้สร้างกระบวนทัศน์ในการพัฒนารุ่นต่อไปของใยแก้วนำแสง [1] สัญญาของเส้นใยทั้งหมดใยแก้วนำแสงมีผลในการแสวงหาการผลิตดีขึ้นเทคนิคและคุณสมบัติของวัสดุ [2] สารเคมีแรงดันสูงสำเร็จได้แสดงให้เห็นว่าไอน้ำสะสมเป็นเทคนิคการรวมวัสดุสารกึ่งตัวนำเข้าของ photonicคริสตัลเส้นใย [3-5] นอกจากนี้ยังมีวัสดุสารกึ่งตัวนำหลังสร้างผ่านใยแก้วนำแสงแบบวาด และแก้ไขละลายออกกระบวนการ [6-8] เทคนิคเหล่านี้สามารถผลิตค่อนข้างความยาวของเส้นใยยาว และเป็นตัวเลือกที่น่าสนใจสำหรับการเปลี่ยนแปลงที่หลีกเลี่ยงไม่ได้กับสภาพแวดล้อมการผลิต [9-11]การรวมของเส้นใยแสงและอุปกรณ์พบว่าต้นกำเนิดในการวิจัยบุกเบิก โดย Payne, et al. มหาวิทยาลัยเซาแธมป์ตันที่สุดทำให้เกิดแสงเลเซอร์ไฟเบอร์เดิม และเครื่องขยายเสียง [12,13] โดยงานนี้ สารกึ่งตัวนำครั้งแรกวัสดุ ซิลิคอน ถูกรวมเข้าไปในรูสุ่มเสร็จเรียบร้อยแล้วไฟเบอร์ โดย Pickrell, et al ในเวลาต่อมา ได้รับความคืบหน้าสำคัญทำงานและทำความเข้าใจเกี่ยวกับชนิดของเส้นใยเหล่านี้[14,15] วิจัยได้หลังสร้างอุปกรณ์พื้นฐาน เช่น p ฉัน njunctions เจอร์เมเนียม resistors และสวิตช์แสงในเส้นใย[16-20] สามารถสร้าง ส่ง modulate และตรวจหาแสงภายในเส้นใยจะมีความง่ายขึ้น และปรับปรุงการประสิทธิภาพของเทคโนโลยีใยแก้วนำแสงไฟเบอร์ทั้งหมด อับ ประสิทธิภาพการวัดเช่นความละเอียดและความมั่นคงถูกจำกัด โดยเหล่านี้เทคนิคการประมวลผล ประสานการด้วย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การรวมกลุ่มของเซมิคอนดักเตอร์และโครงสร้างโลหะเข้าไปใน
เส้นใยแสงได้สร้างปรับเปลี่ยนกระบวนทัศน์ในการพัฒนา
รุ่นต่อไปของใยแก้วนำแสง [1] สัญญาของทุกไฟเบอร์
ใยแก้วนำแสงที่มีผลในการแสวงหาการผลิตที่ดีขึ้น
เทคนิคและคุณสมบัติของวัสดุ [2] แรงดันสูงสารเคมี
สะสมไอได้รับการแสดงให้เห็นถึงการประสบความสำเร็จเป็นเทคนิค
ที่จะรวมวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ในหลุมของโทนิค
เส้นใยคริสตัล [3-5] วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ยังได้รับการ
ประดิษฐ์ผ่านการวาดภาพแบบดั้งเดิมเส้นใยแสงและปรับเปลี่ยน
กระบวนการละลายวาด [6-8] เทคนิคเหล่านี้สามารถผลิตค่อนข้าง
ยาวยาวของเส้นใยและเป็นตัวเลือกที่น่าสนใจสำหรับ
การเปลี่ยนแปลงที่หลีกเลี่ยงไม่ได้กับสภาพแวดล้อมการผลิต [9-11].
บูรณาการของเส้นใยแสงและอุปกรณ์ที่พบว่าต้นกำเนิดของมันใน
การสำรวจวิจัยโดยเพน, et al., ที่ มหาวิทยาลัยเซาแธมป์ตัน
ว่าในท้ายที่สุดส่งผลให้ไฟเบอร์เลเซอร์เดิมและ
แอมป์ [12,13] แรงบันดาลใจจากงานนี้เซมิคอนดักเตอร์แรก
วัสดุซิลิกอนเป็น บริษัท ประสบความสำเร็จในหลุมสุ่ม
เส้นใยโดย Pickrell, et al ต่อจากนั้นความคืบหน้าอย่างมีนัยสำคัญได้รับการ
ทำในการผลิตและความเข้าใจของเหล่านี้ประเภทของเส้นใย
[14,15] นักวิจัยได้ประดิษฐ์อุปกรณ์พื้นฐานเช่น P? i? n
แยกตัวต้านทานเจอร์เมเนียมและสวิทช์แสงในเส้นใย
[16-20] ความสามารถในการผลิตจัดส่งและตรวจสอบการปรับ
แสงภายในเส้นใยโดยเนื้อแท้จะลดความซับซ้อนและปรับปรุง
ประสิทธิภาพการทำงานของเทคโนโลยีใยแก้วนำแสงทั้งหมด แต่น่าเสียดายที่ผลการดำเนินงาน
ตัวชี้วัดเช่นความละเอียดและความมั่นคงจะถูก จำกัด โดยทั้ง
เทคนิคการโพสต์ รวมตัวกันของ Magnetostrictive

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บูรณาการของสารกึ่งตัวนำและโครงสร้างโลหะใน
เส้นใยแก้วนำแสงได้สร้างกระบวนทัศน์ใหม่ในการพัฒนารุ่นถัดไปของออปโตอิเล็กทรอนิกส์
[ 1 ] สัญญาของออปโตอิเล็กทรอนิกส์เส้นใย
ทั้งหมดมีผลในการแสวงหาของการปรับปรุงคุณสมบัติวัสดุและเทคนิคการผลิต
[ 2 ] สะสมสูงเคมี
ความดันไอได้แสดงเทคนิค
รวมวัสดุสารกึ่งตัวนำเข้าไปในรูของเส้นใยผลึกโฟโตนิกส์
3 ) [ 5 ] วัสดุสารกึ่งตัวนำได้ประดิษฐ์ผ่านเส้นใยแสงแบบดั้งเดิม

ละลายวาดและปรับเปลี่ยนกระบวนการ [ 6 – 8 ] เทคนิคเหล่านี้สามารถผลิตค่อนข้างนาน
ความยาวของเส้นใยและเป็นทางเลือกที่น่าสนใจสำหรับการเปลี่ยนแปลงที่หลีกเลี่ยงไม่ได้กับสภาพแวดล้อมการผลิต
[ ]
9 – 11 .บูรณาการของเส้นใยแก้วนำแสง และอุปกรณ์ พบต้นกำเนิดใน
ผู้บุกเบิกการวิจัยโดยเพย์น , et al . , เซาแธมป์ตันมหาวิทยาลัย
ที่ในที่สุดส่งผลให้เลเซอร์ไฟเบอร์เดิมและ
เครื่องขยายเสียง [ 12 , 13 ‘ ] ที่ได้รับแรงบันดาลใจจากงานนี้ แรกสารกึ่งตัวนำ
วัสดุซิลิคอน ซึ่งประสบความสำเร็จในสุ่มหลุม
ไฟเบอร์โดยพิกเริล , et al . ต่อมาความคืบหน้าสำคัญได้
ในการผลิตและความเข้าใจของเหล่านี้ประเภทของเส้นใย
[ 14,15 ] นักวิจัยได้ประดิษฐ์อุปกรณ์พื้นฐาน เช่น P
ผม
n
junctions resistors เจอร์เมเนียมและสวิตช์แสงในเส้นใย
[ 16 – 20 ] ความสามารถในการสร้าง , ส่ง , การตรวจสอบ
แสงภายในไฟเบอร์จะ inherently ง่าย และปรับปรุงประสิทธิภาพของทั้งหมด
ใยแก้วนำแสงเทคโนโลยี แต่น่าเสียดายที่การแสดง
ตัวชี้วัดเช่นความละเอียดและความมั่นคงจะถูก จำกัด โดยผลิต เทคนิคนี้
. ประสานของแมกนีโตสตริกทีฟ