Additionally, the XPS technique has

Additionally, the XPS technique has been used to examine Pb(II) adsorption on the SBA15–0.3NH2 material. The binding energies of Si 2p, O 1s, N 1s and Pb 4f7/2 core electrons are compiled in Table 2. Fig. 10 shows the overall spectra of SBA15–0.3NH2sample before and after lead adsorption from the solutions containing 200 and 400 ppm of Pb(II) ions. For the Pb-containing adsorbents, the photoelectron peaks of oxygen can be seen next to the characteristics peaks of lead and silica. As expected, all adsorbents show the peak at about 532.9 eV assigned to oxygen in Si–O–Si. With exception of the Pb 4f peak, the overall spectrum of pure adsorbent shows the same peaks with similar intensities as Pb-containing adsorbents. Only the detail spectra of the Pb 4f show differences in the latter samples. The C 1s peak at 284.9 eV is due to the usually present carbon surface contaminant [62].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้ เทคนิค XPS มีการใช้การตรวจสอบการดูดซับ Pb(II) วัสดุ SBA15-0.3NH2 พลังงานรวมของศรี 2p, O 1s, N 1s และ Pb หลัก 4f7/2 อิเล็กตรอนจะถูกคอมไพล์ในตาราง 2 รูป 10 แสดงสเป็คโดยรวมของ SBA15 – 0.3NH2sample ก่อน และ หลังการดูดซับตะกั่วจากโซลูชันที่ประกอบด้วย 200 และ 400 ppm ของไอออน Pb(II) สำหรับ adsorbents ประกอบด้วย Pb ยอด photoelectron ออกซิเจนจะได้ถัดจากยอดลักษณะของตะกั่วและซิลิกา ตามที่คาดไว้ adsorbents ทั้งหมดแสดงจุดสูงสุดที่ประมาณ 532.9 eV ให้ออกซิเจนในศรี – O – ซี มีข้อยกเว้นของเดอะพีคชั้น 4 Pb คลื่นความถี่โดยรวมของ adsorbent บริสุทธิ์แสดงยอดเดียวกันกับความเข้มคล้ายเป็น adsorbents ประกอบด้วย Pb เท่านั้นรายละเอียดสเป็คของ Pb 4f แสดงความแตกต่างของตัวอย่างหลัง สูงสุดของ C 1s ที่ 284.9 eV คือเนื่องจากมักจะมีสารปนเปื้อนคาร์บอนผิว [62]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้เทคนิค XPS ได้รับใช้เพื่อตรวจสอบตะกั่ว (II) การดูดซับบนวัสดุ SBA15-0.3NH2 พลังงานที่มีผลผูกพันของศรี 2p โอ 1s, N 1s และ Pb 4f7 / 2 อิเล็กตรอนหลักเป็นข้อมูลที่รวบรวมในตารางที่ 2 รูป 10 แสดงสเปกตรัมโดยรวมของ SBA15-0.3NH2sample ก่อนและหลังการดูดซับสารตะกั่วจากการแก้ปัญหาที่มี 200 และ 400 ppm ของตะกั่ว (II) ไอออน สำหรับดูดซับตะกั่วที่มียอดโฟโตอิเล็กตรอนของออกซิเจนที่สามารถมองเห็นต่อไปลักษณะยอดนำและซิลิกา เป็นที่คาดหวังดูดซับทั้งหมดแสดงให้เห็นจุดสูงสุดที่ประมาณ 532.9 eV ได้รับมอบหมายให้ออกซิเจนใน Si-O-Si ด้วยข้อยกเว้นของยอด Pb 4, สเปกตรัมโดยรวมของตัวดูดซับบริสุทธิ์แสดงให้เห็นถึงยอดเขาเช่นเดียวกันกับความเข้มที่คล้ายกันเป็นตะกั่วที่มีตัวดูดซับ เฉพาะสเปกตรัมรายละเอียดของตะกั่วที่ 4 ความแตกต่างในการแสดงตัวอย่างหลัง ยอด 1s C ที่ 284.9 eV เกิดจากการปนเปื้อนพื้นผิวคาร์บอนในปัจจุบันมักจะ [62]