It appears that the usual SiO2 from

It appears that the usual SiO2 from the MOSFET process does not fulfil the requirements of a high value of βint. The pH sensitivity is only about 30mV/dec depending also on the electrolyte concentration via Cdif. Therefore other layers have
been introduced such as Si3N4, Al2O3 and Ta2O5 with increased values of βint. The intrinsic buffer capacity of Ta2O5 is even so high that the value of Cdif becomes less important which means that independent of the electrolyte concentration a pH sensitivity of 58 mV/dec can be achieved over a pH range from 1 to 12.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปรากฏว่า SiO2 ปกติจาก MOSFET กระบวนการตอบสนองความต้องการของค่าสูงของ βint ความไวต่อค่า pH เป็นเพียงเกี่ยวกับ 30mV/ธันวาคม ขึ้นอยู่กับความเข้มข้นของอิเล็กโทรไลท์ผ่าน Cdif ยัง ดังนั้น ชั้นอื่น ๆ ได้เข้ามาเช่น Si3N4, Al2O3 และ Ta2O5 มีค่า βint เพิ่มขึ้น ความจุบัฟเฟอร์ intrinsic ของ Ta2O5 อย่างสูงดังนั้นแม้ว่า ค่าของ Cdif กลายเป็นสำคัญซึ่งหมายความ ว่า เป็นอิสระจากความเข้มข้นอิเล็กโทรไลต์ความไวแสงค่า pH ของ mV/ธ.ค. 58 สามารถทำได้ในช่วงค่า pH ตั้งแต่ 1 ถึง 12

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปรากฏว่า SiO2 ปกติจากกระบวนการ MOSFET ไม่ได้ตอบสนองความต้องการของที่มีมูลค่าสูงของβint ความไวเป็นกรดเป็นด่างเป็นเพียงประมาณ 30mV / Dec ขึ้นยังอยู่ในความเข้มข้นของอิเล็กโทรผ่าน Cdif ดังนั้นชั้นอื่น ๆ ได้
รับการแนะนำเช่น Si3N4, Al2O3 และ Ta2O5 กับค่านิยมที่เพิ่มขึ้นของβint ความจุบัฟเฟอร์ที่แท้จริงของ Ta2O5 จะยิ่งสูงเพื่อให้ค่าของ Cdif จะกลายเป็นความสำคัญน้อยกว่าซึ่งหมายความว่าระดับความเข้มข้นของอิเล็กโทรไลความไวเป็นกรดเป็นด่างของ 58 mV / Dec สามารถทำได้ในช่วงค่า pH 1-12

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปรากฏว่า SiO2 ปกติจากกระบวนการมอสเฟตไม่สามารถตอบสนองความต้องการของมูลค่าสูงของบีตา Int . pH ความไวเพียงประมาณ 30mv / ธ.ค. ทั้งนี้ในอิเล็กโทรไลต์ความเข้มข้นทาง cdif . ดังนั้น ชั้นอื่น ๆแนะนำเช่น Si3N4 , Al2O3 ta2o5 เพิ่มขึ้นและค่า Int บีตาที่แท้จริง ta2o5 แม้ความจุของบัฟเฟอร์สูงดังนั้นว่า คุณค่าของ cdif กลายเป็นสำคัญน้อยซึ่งหมายความว่าอิสระของอิเล็กโทรไลต์ความเข้มข้น pH ความไวของ 58 MV / ธ.ค. สามารถเกิดขึ้นได้ในช่วง pH จาก 1 ถึง 12