Previous investigations on the Al2O

Previous investigations on the Al2O3 barrier layer were only on TiO2 nanocrystalline electrodes or FTO electrodes. For instance, Palomares et al. showed a 2-2.5 nm Al2O3 barrier layer coated on TiO2 film resulted in a  4 fold retardation of the electron recombination with dye cations, and an efficiency of 5% was reached [30]. Another study by Liu et al. prepared a thin Al2O3- sheathed 3-dimentional (3-D) fluorinated tin oxide (FTO) as photoanodes of DSCs, at the aid of drift transport at the FTO/Al2O3 interfaces, an efficiency of 1.536% was obtained [7]. In addition, Gao et al. received improved photovoltaic performance made by using Al2O3 barrier layer coating on TiO2 nanotubes in conjunction with TiCl4 surface modification [31]. We have demonstrated FTO@TiO2 anode for DSCs with high efficiency at low dye loading levels [4]. Coating of Al2O3 barrier layer on F-T films is conducted to further increase the PCE by retarding the recombination processes. An efficiency of 5.24% is obtained.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนหน้านี้ตรวจสอบบนชั้นกั้น Al2O3 บนหุงต nanocrystalline TiO2 หรือหุงต FTO ได้ เช่น Palomares และ al. พบอุปสรรค nm Al2O3 2-2.5 ชั้นที่เคลือบบนฟิล์ม TiO2 ให้ชะลอ 4 พับของ recombination อิเล็กตรอนกับย้อมเป็นของหายาก และมีประสิทธิภาพ 5% แล้ว [30] ศึกษาอื่นโดยหลิว et al. เตรียมการบาง Al2O3-หุ้ม 3-dimentional (3-D) fluorinated ดีบุกออกไซด์ (FTO) เป็น photoanodes ของ DSCs ที่ช่วยขนส่งดริฟท์ที่อินเทอร์เฟซของ FTO/Al2O3, 1.536% ประสิทธิภาพที่ได้รับ [7] เกา et al. รับการปรับปรุงประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์โดยใช้เคลือบ Al2O3 กำแพงชั้นใน nanotubes TiO2 ในร่วมกับการปรับเปลี่ยนพื้นผิว TiCl4 [31] เรามีสาธิต FTO@TiO2 anode สำหรับ DSCs มีประสิทธิภาพสูงในการย้อมต่ำโหลดระดับ [4] เคลือบของ Al2O3 กั้นชั้นบนฟิล์ม F-T จะดำเนินการต่อไป เพิ่มเรา โดย retarding กระบวน recombination มีประสิทธิภาพ 5.24% ได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนหน้าการตรวจสอบในชั้นอุปสรรค Al2O3 เพียงบน TiO2 ขั้วอิเล็กโทรดหรือ nanocrystalline FTO ยกตัวอย่างเช่น Palomares et al, แสดงให้เห็นว่า 2-2.5 นาโนเมตรชั้นอุปสรรค Al2O3 เคลือบบนแผ่นฟิล์ม TiO2 ส่งผลให้? การชะลอ 4 เท่าของการรวมตัวกันของอิเล็กตรอนที่มีประจุบวกย้อมและประสิทธิภาพของ 5% ถูกถึง [30] การศึกษาอื่นโดย Liu et al, เตรียม Al2O3- บางหุ้ม 3 มิติ (3-D) ดีบุกออกไซด์ fluorinated (FTO) เป็น photoanodes ของ DSCs ที่ความช่วยเหลือของการขนส่งที่ดริฟท์ที่อินเตอร์เฟซ FTO / Al2O3 ที่มีประสิทธิภาพของ 1.536% จากที่ได้รับ [7] นอกจากนี้ Gao et al, ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์ที่ทำโดยการใช้สารเคลือบผิวชั้นอุปสรรค Al2O3 ในท่อนาโน TiO2 ร่วมกับการปรับเปลี่ยนพื้นผิว TiCl4 [31] เราได้แสดงให้เห็น FTO @ TiO2 ขั้วบวกสำหรับ DSCs ที่มีประสิทธิภาพสูงในระดับที่โหลดต่ำย้อม [4] การเคลือบผิวของชั้นอุปสรรค Al2O3 ในภาพยนตร์ FT จะดำเนินการเพื่อเพิ่ม PCE โดยการชะลอกระบวนการรวมตัวกันอีก ประสิทธิภาพของ 5.24% จากที่ได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การตรวจสอบที่ผ่านมาบน Al2O3 กั้นชั้นแค่บน TiO2 nanocrystalline หรือ FTO ขั้วไฟฟ้าขั้วไฟฟ้า ตัวอย่าง palomares et al . มี 2 ชั้นเคลือบ TiO2 นาโนเมตร Al2O3 กั้นภาพยนตร์มีผลในการ  4 เท่าของอิเล็กตรอน การรวมตัวกับสารสีและประสิทธิภาพของ 5% ได้ถึง [ 30 ] การศึกษาอื่นโดย Liu et al .เตรียมบาง Al2O3 - เปลือก 3-dimentional ( 3 ) ฟลูออรีนดีบุกออกไซด์ ( FTO ) เป็น photoanodes ของ dscs ที่ช่วยเหลือของล่องลอยการขนส่งที่ FTO / Al2O3 อินเตอร์เฟซ , ประสิทธิภาพของ 1.536 % ได้ [ 7 ] นอกจากนี้ เกา et al . ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพให้เซลล์แสงอาทิตย์โดยใช้อะลูมิเนียมกั้นชั้นเคลือบนาโน TiO2 ร่วมกับการปรับผิว ticl4 [ 31 ]เราได้แสดงให้เห็นถึง FTO @ TiO2 แอโนดสำหรับ dscs ที่มีประสิทธิภาพสูงที่ย้อมโหลดต่ำระดับ [ 4 ] เคลือบอะลูมิเนียมกั้นชั้น f-t ภาพยนตร์มีวัตถุประสงค์เพื่อเพิ่ม PCE การกระบวนการ recombination . ประสิทธิภาพของ 5.24 เปอร์เซ็นต์