The activation of the dielectric su

The activation of the dielectric surface by the colloidal solution of cobalt compounds was examined as a
palladium-free activation process. The principle of the process is based on the deposition of a Co-based precursor
film on the substrate surface to be metalized and on the reduction of the adsorbed cobalt particles. The
reduction of the adsorbed cobalt oxy/hydroxy compounds was carried out by dipping the treated surface in
an alkaline solution of borohydride both at room and elevated temperatures. It has been determined that the
presence of a small amount of Cu2+ ions in the colloidal solution of cobalt compounds catalyzes the reduction
of adsorbed Co-based precursor on the dielectric surface. Furthermore, the formed Co(0) seeds initiate electroless
copper deposition. A continuous copper film was deposited on a glass sheet after its activation in a colloidal
solution of cobalt compounds containing Cu2+ ions in contrast to that activated in the same solution
without Cu2+ ions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปิดใช้งานของพื้นผิวที่เป็นฉนวนโดยโซลูชัน colloidal สารโคบอลต์ถูกตรวจสอบเป็นการกระบวนการเปิดใช้งานฟรีพาลาเดียม หลักการของกระบวนการตามการสะสมของสารตั้งต้นที่ใช้ร่วมกันฟิล์ม บนพื้นผิวพื้นผิวจะถูก metalized และลดของอนุภาค adsorbed โคบอลต์ การการลดของสารโคบอลต์ adsorbed oxy ไฮดร็อก/ซี่ดำเนินการ โดยจุ่มผิวบำบัดในโซลูชันเค็มของโบโรไฮไดรด์ทั้ง ที่ห้องและอุณหภูมิสูง ตัดสินได้ที่นี้การลด catalyzes ของ Cu2 + ไอออนในโซลูชัน colloidal โคบอลต์สารจำนวนเล็กน้อยของสารตั้งต้นร่วมตามที่ adsorbed บนผิวเป็นฉนวน นอกจากนี้ เมล็ด Co(0) รูปแบบเริ่มต้นการไฟฟ้าสะสมทองแดง ฟิล์มทองแดงอย่างต่อเนื่องนำไปฝากไว้บนแผ่นแก้วหลังจากที่เปิดใช้งานในเครื่อง colloidalโซลูชันของโคบอลต์สารประกอบที่ประกอบด้วยไอออน Cu2 + ตรงข้ามกับที่ใช้ในการแก้ปัญหาเดียวกันโดย Cu2 + ไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปิดใช้งานของพื้นผิวอิเล็กทริกโดยวิธีการแก้ปัญหาของสารคอลลอยด์โคบอลต์ถูกตรวจสอบเป็น
กระบวนการเปิดใช้งานแพลเลเดียมฟรี หลักการของกระบวนการที่อยู่บนพื้นฐานของการสะสมของ Co-ตามผู้นำ
ฟิล์มบนพื้นผิวที่จะ metalized และการลดลงของอนุภาคดูดซับโคบอลต์ที่
การลดลงของการดูดซับโคบอลต์ Oxy / สารไฮดรอกซีได้ดำเนินการโดยการจุ่มพื้นผิวได้รับการรักษาใน
สารละลายด่างของ borohydride ทั้งในห้องพักและยกระดับอุณหภูมิ มันได้รับการพิจารณาว่า
การปรากฏตัวของจำนวนเล็ก ๆ ของ Cu2 + ไอออนในสารละลายคอลลอยด์ของสารโคบอลต์กระตุ้นการลดลง
ของการดูดซับสารตั้งต้น Co-based บนพื้นผิวอิเล็กทริก นอกจากนี้รูปแบบ co (0) เมล็ดเริ่มต้นการใช้ไฟฟ้า
ตะกอนทองแดง ภาพยนตร์ทองแดงอย่างต่อเนื่องถูกวางบนแผ่นกระจกหลังจากการเปิดใช้งานในคอลลอยด์
วิธีการแก้ปัญหาของสารโคบอลต์มี Cu2 + ไอออนในทางตรงกันข้ามกับที่เปิดใช้งานในการแก้ปัญหาเดียวกัน
โดยไม่ต้อง Cu2 + ไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การกระตุ้นผิวฉนวนด้วยสารละลายคอลลอยด์ของสารประกอบโคบอลต์ตรวจสอบเป็นแพลเลเดียมบูรพาจารย์ฟรี หลักการของกระบวนการจะขึ้นอยู่กับการใช้สารตั้งต้นของโคฟิล์มบนพื้นผิวพื้นผิวที่จะเคลือบ และการดูดซับอนุภาคโคบอลต์ . ที่การดูดซับสารประกอบโคบอลต์ / ไฮดรอกซี ทำโดยการจุ่มในการรักษาผิวสารละลายด่างของบอโรไฮไดรด์ทั้งที่ห้องและอุณหภูมิสูงขึ้น มันถูกกำหนดแล้วว่าการแสดงตนของจำนวนเล็ก ๆของ CU2 + ไอออนในสารละลายคอลลอยด์ของสารประกอบโคบอลต์และลดของการดูดซับ CO จากสารตั้งต้นบนพื้นผิวฉนวน . นอกจากนี้ รูปแบบ CO ( 0 ) เมล็ดเริ่มต้นอุตสาหกรรมการผลิตทองแดงเคลือบ ฟิล์มทองแดงอย่างต่อเนื่องถูกฝากไว้บนแผ่นแก้ว หลังจากการเปิดใช้งานในคอลลอยด์สารละลายของสารประกอบของโคบอลต์ที่มี CU2 + ไอออนในทางตรงกันข้ามกับที่ใช้ในการแก้ปัญหาเดียวกันโดย CU2 + ไอออน