Disturb effects alter the memory tr

Disturb effects alter the memory transistor’s threshold voltage unintentionally during memory access operations

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รบกวนผลเปลี่ยนแปลงแรงดันขีดจำกัดของทรานซิสเตอร์หน่วยความจำโดยไม่ได้ตั้งใจในระหว่างการดำเนินการเข้าถึงหน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลกระทบรบกวนเปลี่ยนแปลงแรงดันเกณฑ์ทรานซิสเตอร์หน่วยความจำที่ไม่ได้ตั้งใจระหว่างการดำเนินการเข้าถึงหน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รบกวนผลปรับเปลี่ยนความทรงจำทรานซิสเตอร์เป็นเกณฑ์แรงดันตั้งใจในระหว่างการดําเนินการเข้าถึงหน่วยความจำ