The method was based on simultaneou

The method was based on simultaneous film formation and Ga(III) cupferron complex preconcentration at -0.65V and its cathodic stripping during the potential scan the effect of Bi and cupferron concentration

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีการแก้ไขตามก่อตัวพร้อมฟิล์มและ Ga(III) cupferron preconcentration ซับซ้อนที่ - 0.65V และของ cathodic ลอกในระหว่างการสแกนอาจเกิดผลของความเข้มข้นของ Bi และ cupferron

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีการที่อยู่บนพื้นฐานของการก่อตัวพร้อมกันภาพยนตร์และจอร์เจีย (III) cupferron เข้มข้นซับซ้อน -0.65V และปอก cathodic ในช่วงที่มีศักยภาพสแกนผลของ Bi และความเข้มข้น cupferron