5.4. Effect of the ALD system press

5.4. Effect of the ALD system pressure
The operating pressure of ALD system is another important fac- tor that plays an important role in determining the reaction rates of various surface reactions [2]. According to the experimental setup, the reactor chamber pressure is actually controlled by the balance between inlet and outlet boundaries. Therefore, to simu- late the system pressure at 0.5 Torr, we assume the steady state pressures at the inlet and outlet of ALD reactor are 0.5 Torr and 0.4 Torr respectively ,while the applied partial pressures of injected TMA and H2O will be set at 0.075 Torr and 0.15Torr respectively according to their relations with the ALD system pressure (15% and 30%). Other operating parameters are kept unchanged. In Fig. 8, the TMA +H2O ALD operation is simulated in the first 3 cycles and the variations on surface species coverage are illus- trated. It can be seen that under the pressure of 0.5 Torr, the surface species have not completely reacted with the related pre- cursor gas after each cycle, while under 1 Torr these have fully reacted during each pulse. This is because the reduced system

pressure has limited the surface reaction rates, and moreover, the fast purging process gives little contact time between precursor and substrate surface. As the ALD treatment cycles moving on, the variations of residual surface species are simulated in Fig. 9, which shows that the residual surface species can reach a steady state after a few cycles of ALD operation. It can be seen that nearly 20% |–OH on the substrate surface are not sufficiently reacted dur- ing TMA pulse, while around 30% generated |–Al(CH3)2 and |– Al(CH3)1 groups do not have enough H2O to take reactions during H2O pulse.Itshould be noted here that we have neglected the reac- tions between surface|–OH groups and the generated|–Al(CH3)2 or |–Al(CH3)1 groups during H2O pulse in the modeling. According to the study of Riikka L. Puurunen [3], they indeed can react with each other to produce Al–O–Al on the substrate surface, but will allow much less Al to be deposited on the substrate surface in the following cycles. Therefore, these observations indicate that suit- ably increasing ALD operation pressure not only can improve the completion of surface reactions in the cycling, but also can improve the production of ALD grown film on the silicon wafer surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

5.4. ผลของความดันระบบ ALDความดันทำงานของระบบ ALD เป็นอื่นสำคัญ fac-ทอร์ที่มีบทบาทสำคัญในการกำหนดอัตราปฏิกิริยาของปฏิกิริยาผิวต่าง ๆ [2] จริงถูกควบคุมในเครื่องปฏิกรณ์ความกดดันตามการตั้งค่าการทดลอง โดยสมดุลระหว่างขอบเขตทางเข้าของและร้าน ดังนั้น การ simu - ดึกความดันระบบที่ธอร์ 0.5 เราคิดว่าดันท่อนที่ทางเข้าของ และเต้าเสียบของเครื่องปฏิกรณ์ ALD มีธอร์ 0.5 และ 0.4 ธอร์ตามลำดับ ในขณะที่จะถูกตั้งค่าความดันบางส่วนใช้ของ TMA และ H2O ดัง 0.075 ธอร์และ 0.15Torr ตามลำดับตามความสัมพันธ์กับความดันระบบ ALD (15% และ 30%) พารามิเตอร์อื่น ๆ ดำเนินงานจะยังคงอยู่ไม่เปลี่ยนแปลง ใน Fig. 8, TMA + H2O ALD ดำเนินการจำลองในการ first รอบที่ 3 และรูปแบบบนครอบคลุมสายพันธุ์ผิวมี illus trated จะเห็นได้ว่า ภายใต้แรงกดดันของธอร์ 0.5 พื้นผิวชนิดมีไม่สมบูรณ์ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นกับก๊าซก่อนเคอร์เซอร์ที่เกี่ยวข้องหลังจากแต่ละรอบ ขณะธอร์ 1 ภายใต้ เหล่านี้มีทั้งหมดปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นระหว่างชีพจรแต่ละ ทั้งนี้เนื่องจากระบบลดลงความดันมีจำกัดอัตราปฏิกิริยาผิว และยิ่งไปกว่านั้น การ purging รวดเร็วให้เวลาน้อยติดต่อระหว่างพื้นผิวสารตั้งต้นและพื้นผิว เป็น ALD รักษารอบเลื่อน ระบบจะจำลองการเปลี่ยนแปลงพันธุ์ผิวเหลือใน Fig. 9 ซึ่งแสดงว่า ชนิดพื้นผิวส่วนที่เหลือสามารถเข้าถึงเป็นท่อนหลังจากกี่รอบของการดำเนินงาน ALD ดังจะเห็นได้ว่าเกือบ 20% | – OH บนพื้นผิวพื้นผิวไม่ sufficiently ชีพจร TMA dur ing ในขณะที่ประมาณ 30% สร้างปฏิกิริยาที่เกิดขึ้น | – อัล (CH3) 2 และ | – อัล (CH3) กลุ่ม 1 มี H2O พอใช้ปฏิกิริยาระหว่าง H2O ชีพจรได้Itshould บันทึกที่นี่ว่า เรามีที่ไม่มีกิจกรรม-tions reac ระหว่างกลุ่ม surface| – OH และ generated| – อัล (CH3) 2 หรือ | -อัล (CH3) กลุ่ม 1 ระหว่าง H2O ชีพจรในการสร้างโมเดล ผลการวิจัยของ Riikka L. Puurunen [3], พวกเขาจริง ๆ สามารถทำปฏิกิริยากับแต่ละอื่น ๆ ในการผลิตอัล – O – อัลบนพื้นผิวพื้นผิว ได้ให้อัลน้อยมากที่จะฝากบนพื้นผิวพื้นผิวในวงจรต่อไปนี้ ดังนั้น ข้อสังเกตเหล่านี้บ่งชี้ว่า ชุด-สามารถเพิ่มความดันการดำเนินงาน ALD ไม่เพียงแต่สามารถเพิ่มความสมบูรณ์ของปฏิกิริยาผิวในการขี่จักรยาน แต่ยัง สามารถปรับปรุงการผลิตของ ALD โต film บนพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5.4 ผลกระทบของความดันระบบ ALD
ดันการดำเนินงานของระบบ ALD เป็นอีกหนึ่งทอ fac- สำคัญที่มีบทบาทสำคัญในการกำหนดอัตราการเกิดปฏิกิริยาของปฏิกิริยาพื้นผิวต่างๆ [2] ตามการตั้งค่าการทดลองความดันในห้องปฏิกรณ์จะถูกควบคุมโดยความสมดุลระหว่างทางเข้าและทางออกขอบเขต ดังนั้นเพื่อ simu- ปลายดันของระบบที่ 0.5 Torr เราถือว่าแรงกดดันรัฐคงที่ทางเข้าและทางออกของเครื่องปฏิกรณ์ ALD เป็น 0.5 และ 0.4 Torr Torr ตามลำดับในขณะที่ใช้แรงกดดันบางส่วนของการฉีด TMA และ H2O จะถูกตั้งไว้ที่ 0.075 Torr และ 0.15Torr ตามลำดับตามความสัมพันธ์กับความดันระบบมรกต (15% และ 30%) พารามิเตอร์การดำเนินงานอื่น ๆ จะถูกเก็บไว้ไม่เปลี่ยนแปลง ในรูป 8 การดำเนินการ ALD TMA + H2O จำลองในครั้งแรกไฟ 3 รอบและรูปแบบที่ครอบคลุมพื้นผิวชนิดมี illus- trated จะเห็นได้ว่าภายใต้ความกดดันของ 0.5 Torr พื้นผิวชนิดที่ยังไม่สมบูรณ์ปฏิกิริยากับก๊าซเคอร์เซอร์ที่เกี่ยวข้องก่อนหลังจากแต่ละรอบในขณะที่อายุต่ำกว่า 1 Torr เหล่านี้มีปฏิกิริยาอย่างเต็มที่ในแต่ละพัลส์ เพราะนี่คือระบบที่ลดลงความดันมีการ จำกัด อัตราการตอบสนองพื้นผิวและนอกจากนี้ขั้นตอนการกวาดล้างอย่างรวดเร็วให้เวลาติดต่อกันเล็กน้อยระหว่างผู้นำและพื้นผิว ขณะที่รอบการรักษา ALD ย้าย, รูปแบบของสายพันธุ์พื้นผิวที่เหลือจะถูกจำลองในรูป 9 ซึ่งแสดงให้เห็นว่าพื้นผิวที่เหลือสายพันธุ์ที่สามารถเข้าถึงความมั่นคงของรัฐหลังจากที่รอบไม่กี่ของการดำเนินมรกต จะเห็นได้ว่าเกือบ 20% | -OH บนพื้นผิวที่ไม่พอเพียง ciently Fi ปฏิกิริยาบนจอภาพขณะที่ไอเอ็นจีชีพจร TMA ในขณะที่ประมาณ 30% สร้าง | -Al (CH3) 2 และ | - อัล (CH3) 1 กลุ่มไม่ได้มีเพียงพอ H2O ที่จะเกิดปฏิกิริยาระหว่าง H2O pulse.Itshould จะสังเกตเห็นที่นี่ที่เราได้ละเลยข้อ reac- ระหว่างผิว | กลุ่ม -OH และสร้าง | -Al (CH3) 2 หรือ | -Al (CH3) 1 กลุ่มในช่วงชีพจร H2O ใน การสร้างแบบจำลอง จากการศึกษาของ Riikka ลิตร [3] Puurunen ที่พวกเขาจริงสามารถทำปฏิกิริยากับแต่ละอื่น ๆ เพื่อผลิตอัล O-อับนพื้นผิว แต่จะช่วยให้มากน้อยอัลที่จะวางลงบนพื้นผิวในรอบต่อไป ดังนั้นการสังเกตเหล่านี้แสดงให้เห็นว่าเหมาะสําหด้วยความสามารถเพิ่มความดันการดำเนินงาน ALD ไม่เพียง แต่สามารถปรับปรุงความสมบูรณ์ของพื้นผิวที่เกิดปฏิกิริยาในการขี่จักรยาน แต่ยังสามารถปรับปรุงการผลิตของโต ALD Fi LM บนพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

5.4 . ผลของความดัน ald
ความดันของระบบ ald สําคัญอื่น - โต๋ FAC นั้นมีบทบาทสำคัญในการกำหนดอัตราของปฏิกิริยาผิวปฏิกิริยาต่าง ๆ [ 2 ] ตามการตั้งค่าการทดลองเครื่องปฏิกรณ์ความดันเป็นห้องควบคุมความสมดุลระหว่างการใช้และขอบเขตที่เต้าเสียบ ดังนั้น เพื่อ simu - สายระบบแรงดัน 05 ทอร์ เราคาดว่าแรงกดดันสภาวะที่ทางเข้าและทางออกของเครื่องปฏิกรณ์ ald 0.5 ทอร์และ 0.4 ทอร์ตามลำดับ ในขณะที่ใช้บางส่วนโดยฉีด TMA และ H2O จะถูกตั้งค่าที่ 0.075 ทอร์ 0.15torr ตามลำดับและตามความสัมพันธ์กับ ald ระบบแรงดัน ( 15 % และ 30 % ) อื่น ๆ พารามิเตอร์ต่างๆ จะถูกเก็บไว้ที่ไม่เปลี่ยนแปลง ในรูปที่ 8ก็ H2O ald ผ่าตัด ) ในจึงตัดสินใจเดินทางไป 3 รอบและการเปลี่ยนแปลงบนพื้นผิวชนิดครอบคลุมลลัส - trated . จะเห็นได้ว่าภายใต้ความกดดันของ 0.5 ทอร์ พื้นผิวชนิดไม่สมบูรณ์ปฏิกิริยากับก๊าซที่เกี่ยวข้องกับ pre - เคอร์เซอร์หลังจากแต่ละรอบ ในขณะที่ภายใต้ 1 ทอร์เหล่านี้ได้เต็มที่ ปฏิกิริยาในแต่ละจังหวะ นี้เป็นเพราะระบบ

ลดจำกัดพื้นผิวความดันมีปฏิกิริยาอัตรา และนอกจากนี้ รวดเร็วกระบวนการชำระล้างให้เวลาติดต่อระหว่างสารตั้งต้นและพื้นผิวพื้นผิว เป็น ald รักษารอบต่อไป ความผันแปรของสปีชีส์บนพื้นผิวที่เหลือเป็นค่าในรูปที่ 9 ซึ่งแสดงให้เห็นว่าสปีชีส์บนพื้นผิวที่เหลือสามารถเข้าถึงสภาวะคงที่หลังจากไม่กี่รอบของงาน ald .จะเห็นได้ว่าเกือบ 20% | –โอ้บนพื้นผิวพื้นผิวไม่ซุฟจึง ciently ทำปฏิกิริยาเหล็ก - ing TMA ชีพจร ในขณะที่ประมาณ 30 % ที่สร้างขึ้น | –อัล ( CH3 ) 2 และ | –อัล ( CH3 ) 2 กลุ่มไม่มีเพียงพอ H2O ใช้ปฏิกิริยาระหว่างชีพจร H2Oควรที่จะตั้งข้อสังเกตว่าเราทอดทิ้งให้การ - ใช้งานระหว่างพื้นผิว | –โอ้กลุ่มและสร้าง | –อัล ( CH3 ) 2 หรือ | –อัล ( CH3 ) 1 กลุ่มใน H2O ชีพจรในการจำลอง จากการศึกษาของ riikka L . puurunen [ 3 ] ที่พวกเขาแน่นอนสามารถทำปฏิกิริยากับแต่ละอื่น ๆเพื่อผลิตอัล– O –ล บนพื้นผิวที่หลากหลายแต่จะให้มากน้อยล จะฝากบนพื้นผิวพื้นผิวในรอบต่อไป ดังนั้น สังเกตเหล่านี้แสดงให้เห็นว่าชุด - สามารถเพิ่มงาน ald ความดันไม่เพียง แต่สามารถปรับปรุงความสมบูรณ์ของปฏิกิริยาผิวในจักรยาน แต่ยังสามารถปรับปรุงการผลิตของ ald โตจึง LM บนพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน .