2.1. The (Si-Gd) systemAvailable ex

2.1. The (Si-Gd) system
Available experimental data for the (Si-Gd) phase diagram are
presented in figure 1. A literature review for the phase diagram
of this system was performed by Gokhale and Abbaschian in
1988 [13]. In the review, the phase equilibria of this system were
incomplete due to lack of experimental data until that time. Three
stoichiometric compounds, GdSi, Gd5Si4 and Gd5Si3, and two nonstoichiometric
compounds, GdSi2-a (0.375 to 0.4 mole fraction of
Gd) and GdSi2 (33.2 to 36 mole fraction of Gd) were reported in
several crystallographic studies [14–18]. Two eutectic reactions,
between Gd and Gd5Si3 at 1070 C and 0.848 mole fraction of Gd
[19] and between Gd5Si3 and Gd5Si4 at (1060 ± 20) C and undetermined
composition [20], determined by metallographic analysis,
X-ray diffraction, and thermal analysis. Lozovskii and Kolesnichenko
[21] determined the liquidus of Si-rich side of the phase
diagram by gravimetrical methods and also reported the eutectic
reaction at 1140 C and 0.19 mole fraction of Gd. However, their
liquidus and eutectic point are inconsistent with other data and
they seem to be less reliable. The melting temperature of Gd5Si3
was determined as (1650 ± 20) C using an optical pyrometer
[20]. There were discrepancies in the melting point of GdSi2 in literature.
It was reported as 1540 C [22], 1500 C [23] and 2100 C
[15,24]. The polymorphic transformation of GdSi2 was also
reported to be (400 ± 25) C (high-temperature XRD) [25].
Recently, Eremenko et al. [26] investigated the phase diagram of
this system over the entire composition range using differential
thermal analysis (DTA), XRD and metallography techniques. The
existence of five compounds (GdSia (a = 1.72 to 1.89), GdSi1.5, GdSi,
Gd5Si4 and Gd5Si3) were established. However, the invariant reactions
of relevant phases were obviously different from the previously
reported ones [13]. The GdSia, GdSi1.5, Gd5Si4 and Gd5Si3
compounds melted by peritectic reactions at 1590 C, 1625 C,
1725 C and 1700 C, respectively, while the GdSi congruently

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.1 ระบบ. (ซี-Gd)มีข้อมูลทดลองการระยะ (สี่-Gd)แสดงในรูปที่ 1 ทบทวนวรรณกรรมสำหรับเฟสไดอะแกรมระบบนี้ถูกดำเนินการ โดย Gokhale และ Abbaschian ใน1988 [13] ในการตรวจทาน equilibria เฟสของระบบนี้ได้ไม่สมบูรณ์เนื่องจากขาดข้อมูลทดลองจนถึงเวลานั้น สามสารประกอบ stoichiometric, GdSi, Gd5Si4 และ Gd5Si3 และสอง nonstoichiometricสาร GdSi2 a (0.375-0.4 โมลเศษGd) และ GdSi2 (เศษส่วนโมล 33.2-36 ของ Gd) มีรายงานในหลาย crystallographic ศึกษา [14 – 18] สองปฏิกิริยา eutecticGd และ Gd5Si3 ที่ C พัก 1070 และเศษส่วนโมล 0.848 ของ Gd[19] และระหว่าง Gd5Si3 และ Gd5Si4 ที่ (1060 ± 20) C และถูกระบุองค์ประกอบ [20], ตามการวิเคราะห์ metallographicการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ และการวิเคราะห์ความร้อน Lozovskii และ Kolesnichenko[21] กำหนด liquidus ริชในฝั่งของเฟสไดอะแกรม โดยวิธี gravimetrical และยัง รายงาน eutecticปฏิกิริยาที่ C พัก 1140 และเศษส่วนโมล 0.19 ของ Gd อย่างไรก็ตาม พวกเขาliquidus และจุด eutectic ไม่สอดคล้องกับข้อมูลอื่น ๆ และพวกเขาดูเหมือนจะเชื่อถือได้น้อย อุณหภูมิการละลายของ Gd5Si3C กำหนดเป็น (1650 ± 20) ใช้ pyrometer มีแสงหรือไม่[20] มีความขัดแย้งอยู่ในจุด GdSi2 ละลายในวรรณคดีมันเป็นรายงานเป็น 1540 C [22], 1500 C [23] และ 2100 C[15,24] การแปลง polymorphic ของ GdSi2 ยังรายงานว่า (400 ± 25) C (อุณหภูมิสูง XRD) [25]ล่าสุด Eremenko et al. [26] ตรวจสอบเฟสไดอะแกรมของระบบนี้ช่วงองค์ประกอบทั้งหมดใช้แตกต่างกันการวิเคราะห์ความร้อน (DTA) เทคนิค XRD และแรงดึง ที่มีอยู่ห้าสาร (GdSia (เป็น = 1.72-1.89), GdSi1.5, GdSiGd5Si4 และ Gd5Si3) ได้ก่อตั้ง อย่างไรก็ตาม ปฏิกิริยาไม่เปลี่ยนแปลงระยะที่เกี่ยวข้องได้อย่างชัดเจนแตกต่างจากก่อนหน้านี้รายงานคน [13] GdSia, GdSi1.5, Gd5Si4 และ Gd5Si3สารหลอม โดยปฏิกิริยา peritectic ที่ 1590 C, 1625 C1725 C และ 1700 C ตามลำดับ ในขณะ GdSi congruently

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.1 . ( ซีจีดี ) ระบบ
ของข้อมูลสำหรับ ( จังหวัด GD ) แผนภาพเฟสเป็น
นำเสนอในรูปที่ 1 การทบทวนวรรณกรรมในเฟสไดอะแกรมของระบบนี้ได้ถูกดำเนินการโดย

และ gokhale abbaschian ใน 1988 [ 13 ] ในการตรวจสอบระยะสมดุลของระบบนี้คือ
สมบูรณ์ เนื่องจากขาดข้อมูลการทดลองจนกว่าจะถึงเวลา 3
อัตราส่วนสาร gdsi gd5si4 gd5si3 , และ ,และสอง nonstoichiometric
สารประกอบ gdsi2-a ( 0.375 ถึง 0.4 โมลส่วน
GD ) และ gdsi2 ( 33.2 36 โมลส่วนของ GD ) ได้รายงานในการศึกษาทางหลาย
[ 14 – 18 ] สองเทคติคปฏิกิริยา
ระหว่าง GD gd5si3 1070 C และที่  0.488 โมลส่วนจีดี
[ 19 ] และระหว่างและที่ gd5si3 gd5si4 ( 1060 ± 20 )  C และบึกบึน
องค์ประกอบ [ 20 ] ที่กำหนดโดยการวิเคราะห์ Metallographic
,X-ray diffraction, and thermal analysis. Lozovskii and Kolesnichenko
[21] determined the liquidus of Si-rich side of the phase
diagram by gravimetrical methods and also reported the eutectic
reaction at 1140 C and 0.19 mole fraction of Gd. However, their
liquidus and eutectic point are inconsistent with other data and
they seem to be less reliable. The melting temperature of Gd5Si3
was determined as (1650 ± 20) C using an optical pyrometer
[20]. There were discrepancies in the melting point of GdSi2 in literature.
It was reported as 1540 C [22], 1500 C [23] and 2100 C
[15,24]. The polymorphic transformation of GdSi2 was also
reported to be (400 ± 25) C (high-temperature XRD) [25].
Recently, Eremenko et al. [26] investigated the phase diagram of
ระบบนี้กว่าทั้งองค์ประกอบความร้อนช่วง โดยใช้การวิเคราะห์ความแตกต่าง
( dta ) เทคนิค XRD และ พลิกศพ .
มี 5 ชนิด ( gdsia ( = 1.72 ถึง 1.89 ) gdsi1.5 gdsi
, , และ gd5si4 gd5si3 ) ถูกก่อตั้งขึ้น อย่างไรก็ตาม ปฏิกิริยาค่าคงที่
ขั้นตอนที่เกี่ยวข้องเห็นได้ชัดแตกต่างจากก่อนหน้านี้
รายงานที่ [ 13 ] การ gdsia gdsi1.5 gd5si4 gd5si3
, , และ