As shown in FIG. 8, it is possible

As shown in FIG. 8, it is possible to speed up the turning OFF of transistors Q1,Q2 which act as the switching elements, by connecting between the base and the emitter of the transistor, another transistor Qo, having a base connected to the juncture f between capacitor C and diode D1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังแสดงในรูปที่ 8 ก็เป็นไปได้เพื่อเพิ่มความเร็วในการหมุนออกจากทรานซิสเตอร์ไตรมาส 1, 2 ซึ่งทำหน้าที่เป็นองค์ประกอบสลับโดยการเชื่อมต่อระหว่างฐานและอีซีแอลของทรานซิสเตอร์, Qo ทรานซิสเตอร์อื่นที่มีฐานที่เชื่อมต่อกับจุดเชื่อมต่อระหว่างตัวเก็บประจุฉค และไดโอด d1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงใน FIG. 8 เป็นไปด้วยความเร็วค่าเปิดปิด transistors ไตรมาส 1 ไตรมาสที่ 2 ซึ่งทำหน้าที่เป็นองค์ประกอบสลับ การเชื่อมต่อระหว่างฐานและตัวส่งของทรานซิสเตอร์ ทรานซิสเตอร์อีก Qo มีฐานเชื่อมต่อกับ f juncture ระหว่างตัวเก็บประจุ C และไดโอดง 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามที่แสดงในรูปที่ 8 มีความเป็นไปได้ที่จะเพิ่มความเร็วไตรมาสที่ 1 จากทรานซิสเตอร์ที่ Q 2 ซึ่งทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบการสลับใช้ได้โดยการเชื่อมต่อระหว่างฐานและ Consumer ของทรานซิสเตอร์ qo ทรานซิสเตอร์อื่นมีฐานที่เชื่อมต่อกับหัวต่อ F ระหว่าง C D 1 ไดโอดวัด อุณหภูมิ และตัวเก็บประจุสูญหาย