The experimental conditions and the

The experimental conditions and the apparatus used for the diamond film growth have been described in detail elsewhere [40]. The films were prepared by deposition of the BDD thin films on highly conductive n-Si (1 1 1) substrates by microwave plasmaassisted
chemical vapor deposition. Deposition was usually carried out for 10 h to achieve a film thickness of approximately 30m.The nominal B/C atomic ratio in the gas phase was 1:100, and the typical boron-doping level in the film was ca. 1021 cm−3. The BDD electrodes were rinsed with ultra-pure water prior to use.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เงื่อนไขการทดลองและเครื่องมือที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของฟิล์มเพชรได้ถูกอธิบายไว้ในรายละเอียดอื่น ๆ [40] ภาพยนตร์ถูกเตรียม โดยสะสมของฟิล์มบาง BDD บนพื้นผิวนำสูง n-ซี (1 1 1) โดยไมโครเวฟ plasmaassisted
สะสมไอสารเคมี มักสะสมถูกนำออกสำหรับ h 10 เพื่อให้ความหนาของฟิล์มประมาณ 30 เมตรระบุ B/C อะตอมอัตราส่วนในเฟสก๊าซคือ 1: 100 และระดับโดปปิงค์โบรอนที่ทั่วไปในฟิล์มได้ ca. 1021 cm−3 หุงต BDD ได้ rinsed ด้วยน้ำบริสุทธิ์พิเศษก่อนนำไปใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เงื่อนไขการทดลองและอุปกรณ์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของฟิล์มเพชรที่ได้รับการอธิบายในรายละเอียดอื่น ๆ [40] ภาพยนตร์ที่ได้รับการจัดทำขึ้นจากการทับถมของฟิล์มบาง BDD ในสื่อกระแสไฟฟ้าสูง n-(1 1 1) พื้นผิวโดยไมโครเวฟ plasmaassisted
ไอสารเคมีสะสม สะสมมักจะได้รับการดำเนินการเป็นเวลา 10 ชั่วโมงเพื่อให้ได้ความหนาของฟิล์มประมาณ 30 m.The ค่า B / C อัตราส่วนอะตอมในสถานะก๊าซคือ 1: 100 และระดับโบรอนยาสลบทั่วไปในภาพยนตร์เรื่องนี้คือแคลิฟอร์เนีย 1021 เซนติเมตร-3 ขั้วไฟฟ้า BDD ถูกล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์ก่อนที่จะใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เงื่อนไขการทดลองและอุปกรณ์ที่ใช้สำหรับฟิล์มเพชรการเจริญเติบโตได้รับการอธิบายในรายละเอียดอื่น ๆ [ 40 ] ภาพยนตร์ที่เตรียมจากการเคลือบฟิล์มบางของบีดีดีในการ n-si สูง ( 1 ) โดย ( 1 ) ไมโครเวฟ plasmaassisted
chemical vapor deposition . สะสมมักจะดำเนินการ 10 H เพื่อให้ความหนาของฟิล์ม  ประมาณ 30 เมตรใน B / C อัตราส่วนอะตอมในก๊าซระยะคือ 1 : 100 และโดยทั่วไปการเติมโบรอนในระดับฟิล์มประมาณ 1021 cm − 3 ที่ถูกล้างด้วยขั้วไฟฟ้า bdd น้ำบริสุทธิ์สูงก่อนที่จะใช้