A current density of 6.5  10
4 mA/

A current density of 6.5  10
4 mA/lm2 was continually
applied on the samples and the variation in the resistance was collected.
The change in the layer resistance was measured after 30 s,
4 h, 10 h and 18 h. The results shown in Table 1b indicates that for
samples stressed for 18 h, the resistance increased from 8 lO to
8.25 lO for Cu/Ge/Pd/n-GaAs and from 13.5 lO to 13.8 lO for
Cu/Pt/Ti/Pt/p-Ge.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความหนาแน่นปัจจุบันของ 6.5 10 4 mA/lm2 ได้อย่างต่อเนื่องใช้กับตัวอย่าง และความผันแปรในความต้านทานที่ถูกเก็บรวบรวมเป็นวัดการเปลี่ยนแปลงความต้านทานชั้นหลัง 30 s4 h, 10 h และ 18 h ผลลัพธ์ที่แสดงในตาราง 1b หมายถึงสำหรับตัวอย่างเน้นใน 18 h ความต้านทานที่เพิ่มขึ้นจาก 8 หล่อ8.25 หล่อ สำหรับ Cu/Ge/Pd/n-GaAs และ 13.5 โล ถึง 13.8 หล่อ สำหรับCu/Pt/ตี้/Pt/p-Ge

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความหนาแน่นในปัจจุบัน 6.5? 10 4 mA / lm2
ได้อย่างต่อเนื่องนำมาใช้ในตัวอย่างและการเปลี่ยนแปลงในการต่อต้านที่ถูกเก็บรวบรวม.
การเปลี่ยนแปลงในการต่อต้านชั้นวัดหลังจาก 30 วินาที,
4 ชั่วโมง, 10 ชั่วโมงและ 18 ชั่วโมง ผลดังแสดงในตารางที่ 1
ขบ่งชี้ว่าสำหรับตัวอย่างเน้น18 ชั่วโมงต้านทานเพิ่มขึ้นจาก 8 lO ไป
8.25 lO สำหรับ Cu / Ge / Pd / n-GaAs และจาก 13.5 lO 13.8 lO สำหรับ
Cu / Pt / ตี / Pt / พีจีอี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีความหนาแน่นของ 6.5  10
4 มา / lm2 เป็นอย่างต่อเนื่อง
ประยุกต์กับตัวอย่างและการเปลี่ยนแปลงในการต้านทานรวบรวม .
เปลี่ยนความต้านทานชั้นถูกวัดหลังจาก 30 S ,
4 H , 10 ชั่วโมงและ 18 ชั่วโมง ผลลัพธ์ที่แสดงในตารางที่ 1B แสดงว่าสำหรับ
ตัวอย่างเน้นสำหรับ 18 H , ความต้านทานเพิ่มขึ้นจาก 8 โล

ขายโลสำหรับ Cu / GE / PD / n-gaas และ 13.5 ถึง 13.8 โลสำหรับ
โลทองแดง / PT / Ti / PT / p-ge .