he charges stack up near that inter

he charges stack up near that interface (i.e., d is at a minimum). See
Figure 1. One of the fundamental parameters that can be derived
from C-V accumulation measurements is the silicon dioxide thickness,
tox.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เขาคิดค่ากองขึ้นใกล้กับอินเตอร์เฟซที่ (เช่น d เป็นอย่างน้อย) ดูรูปที่ 1 หนึ่งในพารามิเตอร์พื้นฐานที่สามารถได้รับมาจากการวัด C V สะสมเป็นความหนาของซิลิกอนไดออกไซด์tox

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เขาค่าใช้จ่ายกองขึ้นใกล้ที่อินเตอร์เฟซ ( เช่น D เป็นอย่างน้อย ) เห็น
1 รูป หนึ่งของพารามิเตอร์พื้นฐานที่ได้มาจากการวัดการสะสม
c-v เป็นซิลิคอนไดออกไซด์หนา
tox .