An oxide thickness of 3 nm is neede

An oxide thickness of 3 nm is needed for
CMOS transistors with channel lengths of 100nm orless [7].
This thickness comprises only a few layers of atoms and is
approaching fundamental limits which is around 1to 1.5 nm
[8]. The thin oxide layer is subject to quantum-mechanical
tunneling, giving rise to a gatele akage current that increases
exponentially as the oxide thickness is scaled down. This
tunneling current can initiate a damage leading to the fallible
of the dielectric[9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความหนาเป็นออกไซด์ 3 nm เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับ
transistors CMOS กับความยาวช่องของ orless 100nm [7]
ความหนานี้ประกอบด้วยอะตอมเพียงไม่กี่ชั้น และมี
ใกล้ขีดจำกัดพื้นฐานซึ่งเป็นรอบ 1 เป็น 1.5 nm
[8] ชั้นออกไซด์บาง ๆ มีเครื่องกลควอนตัม
ทันเนล ให้เพิ่มขึ้นเป็น gatele akage ปัจจุบันที่เพิ่ม
สร้างเป็นออกไซด์ความหนาจะปรับลง นี้
ทันเนลปัจจุบันสามารถเริ่มต้นความเสียหายที่นำไปสู่การ fallible
ของ dielectric [9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความหนาของออกไซด์จาก 3 นาโนเมตรเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับ
ทรานซิสเตอร์ CMOS ที่มีความยาวของช่อง 100nm orless [7]
ความหนานี้ประกอบด้วยเพียงไม่กี่ชั้นของอะตอมและจะ
เข้าใกล้ขีด จำกัด ของพื้นฐานซึ่งเป็นรอบ 1 ถึง 1.5 นาโนเมตร
[8] ชั้นออกไซด์บางเป็นเรื่องที่ควอนตัมกล
อุโมงค์ทำให้เกิด gatele akage ปัจจุบันที่เพิ่มขึ้น
ชี้แจงเป็นความหนาของออกไซด์จะถูกลดขนาดลง นี้
ปัจจุบันอุโมงค์สามารถเริ่มต้นที่นำไปสู่ความเสียหายที่ทำผิด
ของอิเล็กทริก [9]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นออกไซด์หนา 3 nm ที่จําเป็นสําหรับ
CMOS ทรานซิสเตอร์กับช่องความยาวของ 100nm orless [ 7 ] .
หนาที่มีเพียงไม่กี่ชั้นของอะตอมและ
ใกล้พื้นฐานซึ่งเป็นรอบเขต 1to 1.5 nm
[ 8 ] ชั้นออกไซด์บางเรื่องควอนตัมเชิงกล
อุโมงค์ , ให้สูงขึ้นเพื่อ gatele akage ในปัจจุบันที่เพิ่มขึ้น
ชี้แจงเป็นออกไซด์หนาถูกปรับลง นี้
การขุดอุโมงค์ในปัจจุบันสามารถก่อความเสียหายที่นำไปสู่ความผิดพลาด
ของไดอิเล็กทริก [ 9 ]